[发明专利]元件芯片的制造方法

权利要求书

1.一种元件芯片的制造方法，将具备第一面和所述第一面的相反侧的第二面的基板在分割区域进行分割来制造多个元件芯片，所述第一面具有用所述分割区域划分的多个元件区域，所述元件芯片的制造方法包括：

准备工序，准备所述基板，所述基板的所述第一面侧被载体支承，并且所述基板形成有耐蚀刻层，使得覆盖与所述元件区域对置的所述第二面的区域且使与所述分割区域对置的所述第二面的区域露出；和

等离子体处理工序，在所述准备工序之后，对被所述载体支承的所述基板实施等离子体处理，

所述等离子体处理工序包括：

分割工序，将所述第二面暴露于第一等离子体，从而将未被所述耐蚀刻层覆盖的区域的所述基板在该基板的深度方向上蚀刻至到达所述第一面而将所述基板分割为元件芯片，并成为具备所述第一面、所述第二面以及连结所述第一面和所述第二面的侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态；和

保护膜形成工序，在所述分割工序之后，在彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态下，将所述元件芯片暴露于供给保护膜形成用气体的同时而产生的第二等离子体，从而仅在所述元件芯片的所述侧面形成保护膜，

在所述保护膜形成工序中，所述第二面与所述侧面所形成的角部被切削成钝角。

2.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，在所述保护膜形成工序中，对载置所述载体的载置台施加高频偏压。

3.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述保护膜是以碳氟化合物为主成分的膜。

4.根据权利要求3所述的元件芯片的制造方法，所述保护膜形成用气体包含氟化碳。

5.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述保护膜形成用气体包含氩气。

6.一种元件芯片的制造方法，将具备第一面和所述第一面的相反侧的第二面的基板在分割区域进行分割来制造多个元件芯片，所述第一面具有用所述分割区域划分的多个元件区域，所述元件芯片的制造方法包括：

准备工序，准备所述基板，所述基板的所述第二面侧被载体支承，并且所述基板形成有耐蚀刻层，使得覆盖所述元件区域且使所述分割区域露出；和

等离子体处理工序，在所述准备工序之后，对被所述载体支承的所述基板实施等离子体处理，

所述等离子体处理工序包含：

分割工序，将所述第一面暴露于第一等离子体，从而将未被所述耐蚀刻层覆盖的区域的所述基板在该基板的深度方向上蚀刻至到达所述第二面而将所述基板分割为元件芯片，并成为具备所述第一面、所述第二面以及连结所述第一面和所述第二面的侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态；和

保护膜形成工序，在所述分割工序之后，在彼此隔开间隔保持在所述载体上的状态下，将所述元件芯片暴露于供给保护膜形成用气体的同时而产生的第二等离子体，从而仅在所述元件芯片的所述侧面形成保护膜，

在所述保护膜形成工序中，所述第一面与所述侧面所形成的角部被切削成钝角。

7.根据权利要求6所述的元件芯片的制造方法，在所述保护膜形成工序中，对载置所述载体的载置台施加高频偏压。

8.根据权利要求6所述的元件芯片的制造方法，所述保护膜是以碳氟化合物为主成分的膜。

9.根据权利要求8所述的元件芯片的制造方法，所述保护膜形成用气体包含氟化碳。

10.根据权利要求6所述的元件芯片的制造方法，所述保护膜形成用气体包含氩气。