[发明专利]一种Ti2AlCMAX相薄膜的制备方法

权利要求书

1. 一种Ti₂AlC MAX相薄膜的制备方法，其特征在于，采用射频磁控溅射技术，用反应气体C₂H₂作为C元素靶，在温度为600℃-710℃的MgO（100）基体上生长出纯相多晶Ti₂AlC薄膜；具体步骤如下：

步骤一、装备溅射靶和基片

以溅射元素Ti和Al靶为固体复合靶，组合方式为在圆片形高纯Ti靶上均匀放置4-5片按15±1°的扇形高纯Al片，采用C₂H₂作为C元素靶；沉积时将高纯C₂H₂气体通入工作真空腔室中；控制通入的工作气体Ar气和反应气体C₂H₂的流量比为200：（1-3），基片为氧化镁MgO（100），装备在溅射靶正上方，背面贴近加热丝；

步骤二、工作腔抽真空

本底真空应低于3*10^-5Pa；

步骤三、预溅射

通入工作气体Ar气后在5±0.5 Pa的压强下开始起辉溅射，辉光溅射开始后工作压强范围降为0.1-0.2Pa，保持工作功率预溅射10-30分钟，去除靶表面氧化层；

步骤四、溅射沉积镀膜

沉积功率为70-80W，基片加负偏压40-60V；基片加热温度范围为600-710℃；薄膜的厚度根据沉积时间而定；最终使薄膜中各元素含量应达到接近Ti₂AlC的理想化学元素比。

2. 根据权利要求1所述的Ti₂AlC MAX相薄膜的制备方法，其特征在于，溅射沉积镀膜时，通入的工作气体Ar气的流量为15.0±0.01 sccm，C₂H₂气体流量为0.075±0.002sccm，适当关闭分子泵阀门，工作压强控制在0.20±0.02Pa。