[发明专利]液晶显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201710051864.X | 申请日: | 2017-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN107065344A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
| 发明(设计)人: | 李金熙;金满镇;金裕俊;李昌烈;郑守正;郑之荣 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本公开涉及液晶显示(LCD)装置及其制造方法。
背景技术
随着多媒体技术的最近的发展,显示装置的重要性已经稳定地增加。结果,多种显示装置,诸如液晶显示(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)装置等等,已经发展并且变得普遍。
LCD装置,其是最广泛使用的平板显示器之一,包括在其上形成诸如像素电极和公共电极的场产生电极的两个基板以及插置在这两个基板之间的液晶层。LCD装置通过施加电压到场产生电极而在液晶层中产生电场,并因而通过确定液晶层中的液晶分子的取向以及控制入射光的偏振而显示图像。
同时,随着LCD装置的尺寸和分辩率增加,用于复杂地控制LCD装置的布线的量逐渐增加。然而,被这样的布线占据的面积越大,非显示区域的面积变得越大,并且实现窄边框显示装置变得越困难。面对这样的背景,正在进行各种尝试以实现窄边框LCD装置并且开发复杂地控制LCD装置的方式。
发明内容
本公开的示范实施方式提供具有窄边框的液晶显示(LCD)装置,该窄边框通过减小非显示区中的布线的面积而获得。
本公开的示范实施方式还提供一种减少所需的掩模工艺的数目从而降低整体制造成本的LCD装置的制造方法。
然而,本公开的示范实施方式不局限于这里陈述的那些。对于本公开所属领域的普通技术人员来说,通过参照以下给出的本公开的详细说明,本公开的以上及其它示范实施方式将变得更明显。
根据本公开的一示范实施方式,一种LCD装置包括:第一基板,包括显示区和设置在显示区之外的非显示区;栅电极,设置在第一基板上并且包括第一层栅电极和设置在第一层栅电极上的第二层栅电极;像素电极,设置在与第一层栅电极相同的层上;源电极和漏电极,在栅电极上设置为彼此间隔开;以及接触,连接漏电极和像素电极并且包括设置在与像素电极相同的层上的第一层接触和设置在第一层接触上的第二层接触。
像素电极和第一层栅电极可以由相同的材料形成。
像素电极可以包括具有多晶结构的金属。
像素电极可以由多晶铟锡氧化物(ITO)形成。
第一层栅电极可以由非晶ITO形成。
第一层接触可以与像素电极形成为一体。
第一层接触的第一侧壁可以与第二层接触的第一侧壁对准。
第一层接触和第二层接触可以由不同的材料形成。
第二层栅电极和第二层接触可以由相同的材料形成。
半导体图案层可以包括氧化物半导体。
漏电极可以接触第二层接触,漏电极的第二侧壁可以与第二层接触的第二侧壁对准。
LCD装置还可以包括数据扇出线,该数据扇出线设置在非显示区中并且包括第一层数据扇出线和设置在第一层数据扇出线上的第二层数据扇出线。
LCD装置还可以包括连接到源电极的数据线和设置在数据线的端部的数据垫,其中数据垫接触第二层数据扇出线。
根据本公开的另一示范实施方式,一种LCD装置包括:第一基板,包括显示区和设置在显示区之外的非显示区;栅电极,设置在第一基板上并且包括第一层栅电极和设置在第一层栅电极上的第二层栅电极;像素电极,设置在与第一层栅电极相同的层上;源电极和漏电极,在栅电极上设置为彼此间隔开;接触,连接漏电极和像素电极并且包括设置在与像素电极相同的层上的第一层接触和设置在第一层接触上的第二层接触;以及第二基板,面对第一基板。
LCD装置还可以包括:设置在第二基板上并且交叠像素电极的滤色器;以及交叠源电极和漏电极的黑矩阵。
LCD装置还可以包括设置在滤色器和黑矩阵上的公共电极。
根据本公开的另一示范实施方式,一种LCD装置的制造方法包括:制备第一基板,该第一基板包括显示区和设置在显示区之外的非显示区,并且第一金属层和第二金属层顺序地层叠在第一基板上;通过图案化第一金属层和第二金属层,在显示区中形成包括第一层栅电极和第二层栅电极的栅电极以及包括第一层像素图案层和第二层像素图案层的像素图案层;在栅电极和像素图案层上形成栅绝缘层;通过图案化栅绝缘层,暴露第二层像素图案层;在栅电极上形成半导体图案层;通过在所得结构上进行热处理,改变第一层像素图案层的晶体结构;以及通过在所得结构上形成第三金属层并且利用单一掩模蚀刻第二层像素图案层和第三金属层两者,形成源电极、漏电极、像素电极以及电连接漏电极和像素电极的接触。
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