[发明专利]液晶显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201710051864.X | 申请日: | 2017-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN107065344A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
| 发明(设计)人: | 李金熙;金满镇;金裕俊;李昌烈;郑守正;郑之荣 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置,包括:
第一基板,包括显示区和设置在所述显示区之外的非显示区;
栅电极,设置在所述第一基板上并且包括第一层栅电极和设置在所述第一层栅电极上的第二层栅电极;
像素电极,设置在与所述第一层栅电极相同的层上;
源电极和漏电极,在所述栅电极上设置为彼此间隔开;以及
接触,连接所述漏电极和所述像素电极,并且包括设置在与所述像素电极相同的层上的第一层接触和设置在所述第一层接触上的第二层接触。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述像素电极和所述第一层栅电极由相同的材料形成。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述像素电极包括具有多晶结构的金属。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述像素电极由多晶铟锡氧化物形成。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置,其中所述第一层栅电极由非晶铟锡氧化物形成。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述第一层接触与所述像素电极形成为一体。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述第一层接触的第一侧壁与所述第二层接触的第一侧壁对准。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述第一层接触和所述第二层接触由不同的材料形成。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述第二层栅电极和所述第二层接触由相同的材料形成。
10.如权利要求1所述的液晶显示装置,还包括半导体图案层,其中所述半导体图案层包括氧化物半导体。
11.如权利要求1所述的液晶显示装置,其中所述漏电极接触所述第二层接触,并且所述漏电极的第二侧壁与所述第二层接触的第二侧壁对准。
12.如权利要求1所述的液晶显示装置,还包括:
数据扇出线,设置在所述非显示区中,并且包括第一层数据扇出线和设置在所述第一层数据扇出线上的第二层数据扇出线。
13.如权利要求12所述的液晶显示装置,还包括:
连接到所述源电极的数据线以及设置在所述数据线的端部的数据垫,
其中所述数据垫接触所述第二层数据扇出线。
14.一种液晶显示装置,包括:
第一基板,包括显示区和设置在所述显示区之外的非显示区;
栅电极,设置在所述第一基板上并且包括第一层栅电极和设置在所述第一层栅电极上的第二层栅电极;
像素电极,设置在与所述第一层栅电极相同的层上;
源电极和漏电极,在所述栅电极上设置为彼此间隔开;以及
接触,连接所述漏电极和所述像素电极并且包括设置在与所述像素电极相同的层上的第一层接触以及设置在所述第一层接触上的第二层接触;以及
第二基板,面对所述第一基板。
15.如权利要求14所述的液晶显示装置,还包括:
滤色器,设置在所述第二基板上并且交叠所述像素电极;以及
黑矩阵,交叠所述源电极和所述漏电极。
16.如权利要求15所述的液晶显示装置,还包括:
公共电极,设置在所述滤色器和所述黑矩阵上。
17.一种液晶显示装置的制造方法,包括:
制备第一基板,所述第一基板包括显示区和设置在所述显示区之外的非显示区,并且第一金属层和第二金属层顺序地层叠在所述第一基板上;
通过图案化所述第一金属层和所述第二金属层,在所述显示区中形成包括第一层栅电极和第二层栅电极的栅电极以及包括第一层像素图案层和第二层像素图案层的像素图案层;
在所述栅电极和所述像素图案层上形成栅绝缘层;
通过图案化所述栅绝缘层,暴露所述第二层像素图案层;
在所述栅电极上形成半导体图案层;
通过在所得结构上进行热处理,改变所述第一层像素图案层的晶体结构;以及
通过在所得结构上形成第三金属层以及利用单一掩模蚀刻所述第二层像素图案层和所述第三金属层两者,形成源电极、漏电极、像素电极以及电连接所述漏电极和所述像素电极的接触。
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