[发明专利]晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法

说明书

本发明提供了一种晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法，涉及半导体晶圆加工技术领域，包括如下步骤：(a)提供晶圆，所述晶圆被切割为多个晶粒，多个晶粒粘附于底膜上；(b)将粘附有多个晶粒的底膜进行扩膜，将不合格的晶粒取出；(c)烘烤所述底膜，使所述底膜恢复至扩膜前状态，解决了晶圆生产厂家在将晶圆切割成晶粒后，剔除不合格的晶粒的过程中，不合格的晶粒与相邻的晶粒相互碰撞，导致相邻的晶粒出现崩边和划伤等现象，严重降低了晶粒的质量，影响后续工序的正常进行的技术问题，达到了通过扩膜将晶粒之间的间距增大，使得不合格的晶粒剔除过程中不会碰撞相邻的晶粒，从而为晶粒的质量提供保证，便于后续封装工艺正常进行的技术效果。

技术领域

本发明涉及半导体晶圆加工技术领域，尤其是涉及一种晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法。

背景技术

近年来，随着光电产业的迅猛发展，高集成和高性能的半导体晶圆需求也越来越大，为了大幅度节约成本和提高制造效率，在大批量生产中往往在晶圆上沉积集成电路芯片或电路元件结构，然后再分割成各个晶粒，最后再进行封装和焊接，因此，晶粒的封装效率对提高晶圆的生产效率有着重要影响。

传统的晶粒在进行封装时，需要先进行晶粒分拣，将不合格的晶粒去除后才能进行封装，导致封装效率很低。为了提高封装效率，现在有些晶圆生产厂家在将晶圆切割成晶粒后，即将不合格的晶粒剔除，但是由于切割后的晶粒之间的间隙很小，在将不合格的晶粒剔除的过程中，极易碰撞相邻的晶粒，使相邻的晶粒发生崩边和划伤等现象，降低了晶粒的质量，影响后续工序的正常进行。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种晶圆的扩膜取粒方法，以缓解现有的晶圆生产厂家在将晶圆切割成晶粒后，剔除不合格的晶粒的过程中，由于相邻的晶粒之间的间隙很小，导致在将不合格的晶粒剔除的过程中，极易碰撞相邻的晶粒，使相邻的晶粒发生崩边和划伤等现象，降低了晶粒的质量，影响后续工序的正常进行的技术问题。

本发明提供的晶圆的扩膜取粒方法，包括如下步骤：

(a)提供晶圆，所述晶圆被切割为多个晶粒，多个晶粒粘附于底膜上；

(b)将粘附有多个晶粒的底膜进行扩膜，将不合格的晶粒取出；

(c)烘烤所述底膜，使所述底膜恢复至扩膜前状态。

进一步的，在步骤(a)中，所述晶圆被激光或刀片切割为多个晶粒。

进一步的，在步骤(a)中，所述底膜被粘附于固定环上。

进一步的，在步骤(a)中，不合格的晶粒被标记。

进一步的，在步骤(b)中，扩膜的温度为45-55℃。

进一步的，在步骤(b)中，采用压环将底膜进行固定。

进一步的，在所述步骤(b)中，通过取粒工具将不合格的晶粒取出，所述取粒工具为针状物。

在步骤(c)中，烘烤的温度为75-85℃，烘烤的时间为8-12分钟

进一步的，所述底膜的厚度为0.08-0.12mm，所述底膜为切割胶带、蓝膜或白膜。

本发明的目的之二在于还提供了一种晶圆的生产方法，以缓解以缓解现有的晶圆生产厂家在将晶圆切割成晶粒后，剔除不合格的晶粒的过程中，由于相邻的晶粒之间的间隙很小，导致在晶粒剔除的过程中，不合格的晶粒与相邻的晶粒之间发生碰撞，使相邻的晶粒出现崩边和划伤等现象，降低了晶粒的质量，影响后续工序的正常进行的技术问题。

本发明提供的晶圆的生产方法，包括本发明提供的晶圆扩膜取粒方法。