[发明专利]晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法有效
| 申请号： | 201710044657.1 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106816404B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 田振兴;王斌;张树宝;孔玲娜 | 申请（专利权）人： | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 郭俊霞 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩膜取粒 方法 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)提供晶圆，晶圆被切割为多个晶粒，多个晶粒粘附于底膜上，晶粒之间的间距为200μm，底膜固定于固定环上，且晶粒经过电性能测试，不合格的晶粒被标记为黑色；
(b)将扩膜机的载台加热至50℃，将粘附有晶粒的底膜放入扩膜机的载台上，并用压环将底膜固定，开启扩膜操作，使底膜随着载台的上升被均匀拉伸，使晶粒之间的间隙被拉大至1000μm，停止扩膜；使用顶针将不合格的晶粒从底膜上剔除；
(c)将剔除不合格的晶粒后的底膜放入烘箱中，将烘烤温度设定为80℃，烘烤10分钟，使底膜恢复至扩膜前平整状态，便于进行后续的封装工艺；
所述底膜的边缘大于固定环的外缘，在将底膜放置于扩膜机上的载台时，能够直接将压环固定在底膜的边缘，而不需要再在底膜的边缘使用其它附属工具进行固定。
2.据权利要求1所述的晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，所述底膜的厚度为0.08-0.12mm，所述底膜为蓝膜或白膜。
3.一种晶圆的生产方法，其特征在于，包括权利要求1或2所述的晶圆的扩膜取粒方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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