[发明专利]等离子体处理方法

说明书

本发明提供一种在等离子体处理装置中实施的等离子体处理方法。在一个实施方式的等离子体处理方法中，交替实施多个第一阶段和多个第二阶段。在第一阶段的每一个中，从气体供给系统向处理容器内供给第一气体，从第一高频电源供给第一高频。在第二阶段的每一个中，从本第二阶段前的第一阶段连续地从第一高频电源供给第一高频。在第二阶段的每一个中，将用于从第一气体切换成第二气体的气体切换信号供给气体供给系统。另外，在将气体切换信号供给气体供给系统后，在负载阻抗这样的参数超过阈值时，开始利用第二高频电源供给第二高频。

技术领域

本发明的实施方式涉及在被加工物的加工中使用的等离子体处理装置中实施的等离子体处理方法。

背景技术

在半导体设备这样的电子设备的制造中，使用等离子体处理装置对被加工物进行等离子体处理。通常，等离子体处理装置包括处理容器、气体供给系统、第一电极、第二电极、第一高频电源和第二高频电源。气体供给系统构成为向处理容器内供给气体。第一电极和第二电极以在它们之间存在处理容器内的空间的方式设置。第一高频电源将等离子体生成用的第一高频供给至第一电极或第二电极，第二高频电源将离子引入用的比较低频的第二高频供给至第二电极。通常，在这样的等离子体处理装置中实施的等离子体处理中，从气体供给系统向处理容器内供给气体，为了生成等离子体将来自第一高频电源的第一高频供给第一电极或第二电极。根据需要，将来自第二高频电源的第二高频供给第二电极。

在等离子体处理中，具有将生成第一气体的等离子体的第一阶段和生成第二气体的等离子体的第二阶段交替实施的方法。即，在该等离子体处理中，将第一气体和第二气体交替供给处理容器内，在第一阶段和第二阶段中，为了生成等离子体将第一高频供给第一电极或者第二电极。另外，可以在第一阶段中不将第二高频供给第二电极，而在第二阶段中将第二高频供给第二电极。

由于气体包括质量，因此在从为了将供给处理容器内的气体从第一气体切换成第二气体而控制气体供给系统的时刻至实际上第二气体到达处理容器内的时刻期间，气体供给系统需要时间。另一方面，第二高频从控制第二高频电源的时刻以能够忽视的程度的时间被供给第二电极。因此，在第二气体没有到达处理容器内的时刻，会发生第二高频被供给第二电极的情况。

因此，提案了从处理容器内的发光光谱的检测结果确认第二气体到达处理容器内之后，开始供给第二高频的技术。关于这样的技术，记载在下述的专利文献1中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013－58749号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

有时在第一气体的等离子体的发光光谱与第二气体的等离子体的发光光谱之间，不存在能够检测的程度的差。例如，根据第一气体所包含的气体的种类和第二气体所包含的气体的种类，有时在第一气体的等离子体的发光的光谱和第二气体的等离子体的发光的光谱之间不存在能够检测的程度的差。这样，在第一气体的等离子体的发光的光谱与第二气体的等离子体的发光的光谱之间不存在能够检测的程度的差时，不能对第二气体到达处理容器内的时刻进行高精度地检测。结果是，不能在适当的时刻开始供给第二高频。

因此，将在等离子体处理装置的处理容器内生成第一气体的等离子体的第一阶段和在该处理容器内生成第二气体的等离子体的第二阶段交替实施的等离子体处理中，需要对第二气体到达处理容器内的时刻进行高精度地检测的技术。

用于解决技术问题的技术方案