[发明专利]触摸屏用高阻膜及其制备方法和触摸屏

权利要求书

1.一种触摸屏用高阻膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供浆料，所述浆料按照质量百分含量由如下组分组成：10％～19％的氧化锑、7％～14％的氧化锡、25％～35％的水、25％～35％的表面活性剂和10％～20％的交联剂，其中，所述交联剂为三烯丙基异三聚氰酸酯；

采用所述浆料在基板上形成高阻膜。

2.根据权利要求1所述的触摸屏用高阻膜的制备方法，其特征在于，所述采用所述浆料在基板上形成高阻膜的步骤具体为：将所述浆料喷涂在所述基板上，再依次经流平和烘烤，形成所述高阻膜。

3.根据权利要求2所述的触摸屏用高阻膜的制备方法，其特征在于，所述将所述浆料喷涂在所述基板上的步骤中，喷涂的温度为20℃～30℃；相对湿度为45％～55％。

4.根据权利要求2所述的触摸屏用高阻膜的制备方法，其特征在于，所述将所述浆料喷涂在所述基板上的步骤中，喷涂时的压力为3MPa～8MPa，所述基板的传动速率为1米/分钟～1.5米/分钟；使用喷涂枪将所述浆料喷涂在所述基板上，所述喷涂枪为三个，且三个所述喷涂枪沿所述基板的传动方向依次间隔排列，相邻两个所述喷涂枪间隔25厘米～38厘米，所述喷涂枪与所述基板的间距为5厘米～50厘米。

5.根据权利要求2所述的触摸屏用高阻膜的制备方法，其特征在于，所述流平的步骤具体为：将喷涂有所述浆料的所述基板进行风切，风切时的压力为3MPa～4.5MPa，温度为20℃～30℃，风切高度为5厘米～6厘米。

6.根据权利要求2所述的触摸屏用高阻膜的制备方法，其特征在于，所述流平步骤后的所述烘烤步骤具体为：在60℃～200℃烘烤30分钟～60分钟。

7.根据权利要求6所述的触摸屏用高阻膜的制备方法，其特征在于，在所述流平步骤之后，所述烘烤步骤之前，还包括干燥的步骤：在40℃～60℃干燥10分钟～20分钟。

8.一种如权利要求1～7任意一项所述的触摸屏用高阻膜的制备方法制备得到的高阻膜。

9.根据权利要求8所述的高阻膜，其特征在于，所述高阻膜的厚度为20纳米～50纳米。

10.一种触摸屏，其特征在于，包括如权利要求8和9任意一项所述的高阻膜。