[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板包括衬底和设置在衬底上的晶体管，晶体管包括栅极和有源层；栅极的面对有源层的一侧面上形成有光线吸收层，光线吸收层能对照射到其上的光线进行吸收。该阵列基板通过在栅极的面对有源层的一侧面上形成光线吸收层，能够将照射到其上的背光光线进行吸收，从而避免照射到有源层上的背光光线反射到栅极上之后，栅极将该部分光线再次反射到有源层，进而减少照射到有源层上的背光光线，以减少背光光线对晶体管的开关特性造成影响，最终确保晶体管的开关稳定性和采用该阵列基板的显示装置的显示效果和可信赖性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

由于曝光设备的昂贵，曝光环节一直是液晶显示屏制造中成本控制的重点。

为节省曝光成本，目前较多阵列基板的薄膜晶体管(TFT)制备工艺流程将有源层和源漏极用一次曝光做成，这种工艺方法节省了一道掩模(Mask)工艺，因此在节省生产节拍和曝光设备成本上有明显的优势。

但是，这种工艺会导致有源层相对位于其下方的栅极其图形伸出量过多，使得底部栅极无法完全遮挡背光源对有源层的照射，如图1所示，进入到有源层22的背光光线会造成薄膜晶体管(TFT)开关特性的改变，使之在工作中不稳定，影响液晶显示器的显示效果和可信赖性；于此同时，栅极21对从有源层22反射回来的背光光线会再次反射，背光光线重新回到有源层22，使得有源层22受到“二次照射”，这进一步增加了背光源光线对有源层22的不利影响。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板通过在栅极面对有源层的一侧面上形成光线吸收层，能够将照射到其上的背光光线进行吸收，从而避免照射到有源层上的背光光线反射到栅极上之后，栅极将该部分光线再次反射到有源层，进而减少照射到有源层上的背光光线，以减少背光光线对晶体管的开关特性造成影响，最终确保晶体管的开关稳定性和采用该阵列基板的显示装置的显示效果和可信赖性。

本发明提供一种阵列基板，包括衬底和设置在所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括栅极和有源层；所述栅极的面对所述有源层的一侧面上形成有光线吸收层，所述光线吸收层能对照射到其上的光线进行吸收。

优选地，所述栅极的材料包括铜；所述光线吸收层包括铜的氧化物的微晶粒和铜的硫化物的微晶粒；所述光线吸收层的表面呈凹凸不平状。

优选地，所述光线吸收层的颜色为黑色或黑灰色。

优选地，所述光线吸收层的厚度为10-30nm。

优选地，所述晶体管的源极和漏极同层设置，且分别位于所述有源层的同一侧的相对两端。

优选地，所述栅极设置于所述有源层的上方或下方。

本发明还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本发明还提供一种如上述阵列基板的制备方法，包括采用构图工艺在衬底上分别形成包括栅极的图形和有源层的图形的步骤，在形成所述栅极的图形时，将所述栅极的图形上的光刻胶灰化完毕后，继续对所述栅极的图形进行灰化工艺，以在所述栅极的图形的面对所述有源层的一侧面上形成光线吸收层。

优选地，所述栅极的材料包括铜；对所述栅极的图形的灰化工艺包括：在干刻设备中采用六氟化硫气体和氧气产生的等离子体对所述栅极的图形区域进行刻蚀，以使所述栅极的图形区域的表层材料反应生成包括铜的氧化物的微晶粒和铜的硫化物的微晶粒。

优选地，还包括形成包括栅线的图形的步骤，所述栅线的图形和所述栅极的图形通过灰色调掩模工艺同时形成。