[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201710042098.0 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN106653776B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 曹可;姜涛;杨成绍 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 罗瑞芝;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底和设置在所述衬底上的晶体管,所述晶体管包括栅极和有源层;其特征在于,所述栅极的面对所述有源层的一侧面上形成有光线吸收层,所述光线吸收层能对照射到其上的光线进行吸收;
所述栅极的材料包括铜;所述光线吸收层包括铜的氧化物的微晶粒和铜的硫化物的微晶粒,所述光线吸收层的表面呈凹凸不平状,并且,所述栅极与栅线通过灰色调掩模工艺同时形成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述光线吸收层的颜色为黑色或黑灰色。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述光线吸收层的厚度为10-30nm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述晶体管的源极和漏极同层设置,且分别位于所述有源层的同一侧的相对两端。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极设置于所述有源层的上方或下方。
6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任意一项所述的阵列基板。
7.一种如权利要求1-5任意一项所述的阵列基板的制备方法,包括采用构图工艺在衬底上分别形成包括栅极的图形和有源层的图形的步骤,其特征在于,在形成所述栅极的图形时,将所述栅极的图形上的光刻胶灰化完毕后,继续对所述栅极的图形进行灰化工艺,以在所述栅极的图形的面对所述有源层的一侧面上形成光线吸收层;
所述栅极的材料包括铜;对所述栅极的图形的灰化工艺包括:在干刻设备中采用六氟化硫气体和氧气产生的等离子体对所述栅极的图形区域进行刻蚀,以使所述栅极的图形区域的表层材料反应生成包括铜的氧化物的微晶粒和铜的硫化物的微晶粒;
还包括形成包括栅线的图形的步骤,所述栅线的图形和所述栅极的图形通过灰色调掩模工艺同时形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的