[发明专利]SCR静电保护器件及静电保护电路

权利要求书

1.一种SCR静电保护器件，形成于绝缘体上半导体结构中，所述绝缘体上半导体结构包括依次层叠的底层基底、绝缘埋层以及顶层半导体层，其特征在于，所述SCR静电保护器件形成于所述顶层半导体层的一个连续有源区中，包括依次横向排列并相互间隔设置的第一N阱、第二N阱、第一P阱、第二P阱；所述第一N阱和所述第二N阱之间设置有第一P型掺杂区，且所述第二N阱背向所述第一P型掺杂区的一侧邻接有第一N型掺杂区；所述第一P阱和所述第二P阱之间设置有第二N型掺杂区，且所述第一P阱背向所述第二N型掺杂区的一侧邻接有第二P型掺杂区；所述第一N型掺杂区和所述第二P型掺杂区直接相接，或者所述第一N型掺杂区依次邻接第三N型掺杂区、第三P型掺杂区以与所述第二P型掺杂区相接；所述第一N阱、所述第二N阱及所述第一P型掺杂区均连接至一第一电极，所述第一P阱、所述第二P阱及所述第二N型掺杂区均连接至一第二电极。

2.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述绝缘埋层的材质为氧化物。

3.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述顶层半导体层的材料为未掺杂的硅、掺杂的硅、未掺杂的锗或掺杂的锗。

4.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述连续有源区被形成于所述顶层半导体层中的器件隔离结构包围。

5.如权利要求4所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述器件隔离结构为浅沟槽隔离结构。

6.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述第一N阱和所述第二N阱完全相同，所述第一P阱和所述第二P阱完全相同。

7.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述第一N型掺杂区和所述第二N型掺杂区的掺杂相同，所述第一P型掺杂区和所述第二P型掺杂区的掺杂相同。

8.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述第三N型掺杂区的掺杂浓度低于所述第一N型掺杂区和第二N型掺杂区。

9.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述第三P型掺杂区的掺杂浓度低于所述第一P型掺杂区和第二P型掺杂区。

10.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述第一N型掺杂区和所述第二P型掺杂区直接相接时，所述第一N型掺杂区和所述第二P型掺杂区的相接处上方形成有栅极，所述栅极部分覆盖在所述第一N型掺杂区上，部分覆盖在所述第二P型掺杂区上。

11.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述第一N型掺杂区和所述第二P型掺杂区通过邻接的第三N型掺杂区和第三P型掺杂区相接时，所述第三N型掺杂区和第三P型掺杂区的相接处上方形成有栅极，所述栅极完全覆盖在所述第三N型掺杂区和所述第三P型掺杂区上。

12.如权利要求10或11所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述栅极的材料为多晶硅或者金属硅化物。

13.如权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。

14.一种静电保护电路，耦接于一信号输入端与一内部电路之间，其特征在于，所述静电保护电路包括第一电极、第二电极以及权利要求1至13中任一项所述的SCR静电保护器件，所述SCR静电保护器件耦接在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为阳极并耦接至所述信号输入端，而所述第二电极为阴极并耦接至一接地端。