[发明专利]显示装置

说明书

本申请是申请号为201310114477.8、申请日为2013年3月25日、发明名称为“显示装置”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及液晶显示装置等显示装置，特别涉及能够通过使在基板的像素电路部分中的有机膜形成的接触孔的直径减小来提高透射率的显示装置。

背景技术

在显示装置例如液晶显示装置等中，设置呈矩阵状形成有像素电极以及薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)等的阵列基板(或称为TFT基板)、和与该阵列基板相对并在与阵列基板的像素电极对应的位置形成有滤色器等的对置基板，在阵列基板与对置基板之间夹持有液晶。并且，通过按每个像素控制液晶分子对光的透射率来形成图像。

近年来，在液晶显示装置中，如“专利文献1”的记载，已知提高像素部的开口率的尝试。“专利文献1”所公开的液晶显示装置，在为了连接薄膜晶体管与像素电极而形成的接触孔，具有填埋形成像素电极所产生的凹部的填埋部。由此，可抑制有机钝化膜的接触孔部的液晶分子的取向混乱，不会使液晶显示装置的像素部的开口率下降，防止了漏光。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-304793号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述那样的液晶显示装置中，存在为了填埋凹部而必须增加光刻或各向异性蚀刻的工序的问题。

鉴于上述问题，本发明的目的在于，在具有为了连接薄膜晶体管与像素电极而形成的接触孔的液晶显示装置那样的显示装置中，不会使液晶显示装置那样的显示装置的像素部的开口率下降地防止漏光，并且提高有机绝缘膜的生产率，提高接触孔周围的加工精度。

用于解决问题的手段

能够从多个角度把握本发明，从一个角度获得的代表性的本发明的液晶显示装置为如下所述。另外，从其他角度获得的本发明的液晶显示装置，通过以下所述的实施发明的方式的说明等可以明确。

本申请所公开的发明中，若简单说明代表性发明的概要，则如下述这样。

(1)一种显示装置，具有阵列基板和与该阵列基板相对的对置基板，其特征在于，在阵列基板的像素内配置有TFT和突起，所述TFT的源电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸，覆盖所述TFT和所述突起地形成无机钝化膜，在所述TFT上的所述无机钝化膜上形成有机钝化膜，在所述有机钝化膜上形成对置电极，覆盖所述对置电极地形成上部绝缘膜，在所述上部绝缘膜上形成像素电极，所述像素电极在所述突起上经由在所述无机钝化膜以及所述上部绝缘膜形成的连接孔与所述源电极导通。

(2)一种显示装置，具有阵列基板和与该阵列基板相对的对置基板，其特征在于，在阵列基板的驱动电路内配置有TFT和突起，所述TFT的源电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸，覆盖所述TFT和所述突起地形成无机钝化膜，在所述TFT上的所述无机钝化膜上形成有机钝化膜，覆盖所述有机钝化膜地形成上部绝缘膜，在所述上部绝缘膜上形成布线，所述布线在所述突起上经由在所述无机钝化膜以及所述上部绝缘膜形成的连接孔而与所述源电极导通。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式涉及的显示装置的等效电路的电路图。

图2是表示一个像素电路的结构的一例的俯视图。

图3是实施例1的像素电路所包含的薄膜晶体管的剖面图。

图4A是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图4B是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图4C是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图4D是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图4E是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。。

图4F是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图4G是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图4H是表示图3所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图5是表示3所示的薄膜晶体管的结构的俯视图。

图6是表示薄膜晶体管的比较例的剖面图。

图7A是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图7B是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图7C是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。

图7D是表示图6所示的薄膜晶体管的制造工序的剖面图。