[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，具有阵列基板，其特征在于，

在所述阵列基板的显示区域内配置有TFT和突起，

连接于所述TFT的第一电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸，

覆盖所述TFT地形成有机钝化膜，

在所述有机钝化膜上形成第二电极，

所述第二电极在所述突起上与所述第一电极导通，

在俯视下，所述第一电极的宽度小于所述突起的最大宽度。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT为如下结构：在所述阵列基板上形成半导体层，覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上在与所述半导体层对应的部分形成栅电极，覆盖所述栅电极地形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上与所述半导体层对应的部分隔开距离地形成漏电极和所述第一电极，所述漏电极以及所述第一电极经由在所述层间绝缘膜以及所述栅极绝缘膜形成的通孔而与所述半导体层导通，

所述第二电极经由在设于所述突起上的第一绝缘膜形成的连接孔而与所述第一电极导通。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT为如下结构：在所述阵列基板上形成栅电极，覆盖所述栅电极地形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成漏电极和所述第一电极，

所述突起形成于从所述TFT延伸的所述栅极绝缘膜上，

所述第二电极在所述突起上与所述第一电极连接。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT为如下结构：在所述阵列基板上形成漏电极和所述第一电极，在所述漏电极和所述第一电极上形成半导体层，覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上与所述半导体层对应的部分形成栅电极，

所述第二电极在所述突起上经由在所述栅极绝缘膜形成的连接孔而与所述第一电极导通，

所述突起直接形成于所述阵列基板上。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT为如下结构：在所述阵列基板上形成半导体层，在所述半导体层上隔着间隔地形成漏电极和所述第一电极，覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上在与所述半导体层对应的部分形成栅电极，

所述第二电极在所述突起上经由在所述栅极绝缘膜形成的连接孔而与所述第一电极导通，

所述突起直接形成于所述阵列基板上。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT为如下结构：在所述阵列基板上形成栅电极，覆盖所述栅电极地形成栅极绝缘膜，在所述栅电极的上方，在所述栅极绝缘膜上形成漏电极和所述第一电极，

在所述栅电极的上方覆盖所述栅极绝缘膜以及所述漏电极的一部分和所述第一电极的一部分地形成半导体层。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示装置，其特征在于，

所述突起由有机材料形成。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，

所述突起为圆锥台或棱锥台。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

在所述突起的上表面不存在所述有机钝化膜。

10.一种显示装置，具有阵列基板，其特征在于，

在阵列基板的驱动电路内配置有TFT和突起，

连接于所述TFT的第一电极以至少覆盖所述突起的一部分的方式延伸，

覆盖所述TFT地形成有机钝化膜，

在所述有机钝化膜上形成布线，

所述布线在所述突起上与所述第一电极导通，

在俯视下，所述第一电极的宽度小于所述突起的最大宽度。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，

所述TFT为如下结构：在所述阵列基板上形成半导体层，覆盖所述半导体层地形成栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上在与所述半导体层对应的部分形成栅电极，覆盖所述栅电极地形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上与所述半导体层对应的部分隔开距离地形成漏电极和所述第一电极，所述漏电极以及所述第一电极经由在所述层间绝缘膜以及所述栅极绝缘膜形成的通孔而与所述半导体层导通，

所述突起形成于从所述TFT延伸的层间绝缘膜上。