[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

本申请提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以提高阵列基板半导体层的电子迁移率，从而提高阵列基板的导电能力、提高阵列基板的开口率，进而提高显示装置的分辨率，提升产品性能。本申请实施例提供的一种阵列基板，包括半导体层，所述半导体层包括用于提高所述半导体层的电子迁移率的结构。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

目前高分辨率显示产品成为市场主流趋势，实现显示器的高分辨率的关键在于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)特性提升。现有技术中，制作阵列基板一般采用非晶硅技术，但是，采用非晶硅技术得到的阵列基板中的半导体层电子迁移率较低，难以满足显示器高分辨率的要求。

发明内容

本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以提高阵列基板的半导体层的电子迁移率，从而提高了阵列基板的导电能力、开口率，进而提高显示设备分辨率，提升产品性能。

本申请实施例提供的一种阵列基板，包括半导体层，所述半导体层包括用于提高所述半导体层的电子迁移率的结构。

通过在半导体层设置用于提高所述半导体层的电子迁移率的结构，从而提高阵列基板半导体层的电子迁移率，提高阵列基板的导电能力、提高了阵列基板的开口率，进而提高显示设备分辨率，提升产品性能。

较佳地，所述用于提高所述半导体层的电子迁移率的结构，包括多晶硅层。

较佳地，所述半导体层还包括非晶硅层，所述非晶硅层包围所述多晶硅层。

较佳地，所述非晶硅层包括第一非晶硅层和第二非晶硅层，所述第一非晶硅层与所述多晶硅层同层设置，且包围所述多晶硅层；所述第二非晶硅层位于所述多晶硅层之上，且覆盖所述多晶硅层。

较佳地，所述第二非晶硅层包括第一非晶硅子层和第二非晶硅子层，所述第一非晶硅子层位于所述多晶硅层之上，且覆盖所述多晶硅层，第二非晶硅子层位于所述第一非晶硅子层之上，其中，第一非晶硅子层和第二非晶硅子层中的氢含量不同。

较佳地，还包括保护层，该保护层位于所述多晶硅层之上，且覆盖所述多晶硅层。

较佳地，所述保护层为绝缘层。

较佳地，还包括导体层，所述导体层包括第一导体层和第二导体层，所述第一导体层位于所述半导体层之上，所述第二导体层位于所述第一导体层之上，所述第一导体层和所述第二导体层中的磷化氢含量不同。

本申请实施例提供的一种显示面板，包括本申请实施例提供的上述的阵列基板。

本申请实施例提供的一种显示装置，包括本申请实施例提供的显示面板。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种阵列基板结构示意图；

图2为本申请实施例提供的第二种阵列基板结构示意图；

图3为本申请实施例提供的第三种阵列基板结构示意图；

图4为本申请实施例提供的第四种阵列基板结构示意图；

图5为本申请实施例提供的第五种阵列基板结构示意图；

图6为本申请实施例提供的第六种阵列基板结构示意图；

图7为本申请实施例提供的第七种阵列基板结构示意图；