[发明专利]TMBS半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种TMBS半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；

用半导体材料填充满所述沟槽；

在所述半导体衬底上形成覆盖所述半导体衬底表面和所述沟槽中的半导体材料的肖特基金属层；

在所述肖特基金属层上形成电极层，

其中，所述沟槽包括第一区域和位于所述第一区域之下的第二区域，所述第二区域的横向尺寸大于所述第一区域的横向尺寸。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成所述沟槽的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成图形化的硬掩膜层，所述图形化的硬掩膜层定义所述沟槽的开口形状；

以所述图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成所述沟槽的第一区域；

在所述沟槽的第一区域的侧壁上形成保护侧墙；

以所述图形化的硬掩膜层和所述保护侧墙为掩膜刻蚀所述半导体衬底，以在所述沟槽的第一区域之下的所述半导体衬底内形成所述沟槽的第二区域。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，以所述图形化的硬掩膜层和所述保护侧墙为掩膜刻蚀所述半导体衬底时采用各向同性刻蚀工艺。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述沟槽的第一区域的侧壁上形成所述保护侧墙的步骤包括：

在所述沟槽的第一区域的侧壁和底部上形成保护侧墙材料层；

通过各向异性刻蚀去除所述保护侧墙材料层位于所述沟槽的第一区域的底部上的部分，保留所述保护侧墙材料层位于所述沟槽的第一区域的侧壁上的部分，从而形成所述保护侧墙。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述保护侧墙材料层为氧化层。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述保护侧墙材料层通过热氧化法形成。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述沟槽的侧壁和底部上形成栅极氧化层，然后用半导体材料填充满所述沟槽。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底包括位于下方的重掺杂区和位于所述重掺杂区之上的轻掺杂漂移区，所述沟槽形成在所述漂移区中。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底为N型半导体衬底。

10.一种TMBS半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有沟槽；

在所述沟槽中填充有半导体材料；

在所述半导体衬底上形成有覆盖所述半导体衬底表面和所述沟槽中的半导体材料的肖特基金属层；

在所述肖特基金属层上形成有电极层，

其中，所述沟槽包括第一区域和位于所述第一区域之下的第二区域，所述第二区域的横向尺寸大于所述第一区域的横向尺寸。

11.根据权利要求10所述的TMBS半导体器件，其特征在于，在所沟槽的侧壁和底部上形成有栅极氧化层，所述半导体材料位于所述栅极氧化层之上。

12.根据权利要求10所述的TMBS半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底包括位于下方的重掺杂区和位于所述重掺杂区之上的轻掺杂漂移区，所述沟槽形成在所述漂移区中。

13.根据权利要求10所述的TMBS半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底为N型半导体衬底。

14.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求10-13中的任意一项所述的TMBS半导体器件以及与所述半导体器件相连接的及电子组件。