[发明专利]一种集成对讲芯片及射频载波频率产生方法在审

专利信息
申请号: 201710022735.8 申请日: 2017-01-12
公开(公告)号: CN106911347A 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 李勇强;王岩波 申请(专利权)人: 力同科技股份有限公司
主分类号: H04B1/3827 分类号: H04B1/3827;H04B1/40
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281 代理人: 江婷
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 对讲 芯片 射频 载波 频率 产生 方法
【权利要求书】:

1.一种具备零中频数字通信功能的集成对讲芯片,其特征在于,包括:微控制单元、射频收发器单元及存储器单元,所述存储器单元用于存储频率偏差值,所述微控制单元用于在所述射频收发器单元需要产生射频载波频率时,读取所述频率偏差值,并发送至所述射频收发器单元,所述射频收发器单元用于根据所述频率偏差值对其产生的射频本振频率进行校正,产生射频载波频率。

2.如权利要求1所述的集成对讲芯片,其特征在于,还包括数据串口模块,所述数据串口模块用于接收外界设备写入的所述频率偏差值,并传输至所述微控制单元,所述微控制单元用于将所述频率偏差值写入所述存储器单元,所述外界设备用于对所述射频收发器单元中本振晶体产生的射频本振频率进行测量,根据测量结果计算所述频率偏差值。

3.如权利要求1所述的集成对讲芯片,其特征在于,还包括本振频率检测单元,所述本振频率检测单元用于检测所述射频收发器单元在输出目标射频载波频率时,其本振晶体产生的射频本振频率,并传输至所述微控制单元;所述微控制单元用于根据射频本振频率及所述目标射频载波频率,计算得到所述频率偏差值,并将所述频率偏差值写入所述存储器单元。

4.如权利要求1所述的集成对讲芯片,其特征在于,所述存储器单元为FLASH存储器,所述FLASH存储器以四字节大小的整型数据存储所述频率偏差值。

5.如权利要求1至4任一项所述的集成对讲芯片,其特征在于,所述射频收发器单元包括本振晶体、校正单元及输出单元,所述本振晶体用于根据目标射频载波频率输出射频本振频率,所述校正单元用于根据所述频率偏差值对所述射频本振频率进行校正,得到所述目标射频载波频率,所述输出单元用于输出频率为所述目标射频载波频率的射频载波信号。

6.一种数字对讲终端的射频载波频率产生方法,其特征在于,所述数字对讲终端包括供电电源、及如权利要求1至5任一项的集成对讲芯片;所述射频载波频率产生方法包括:

微控制单元在射频收发器单元需要产生射频载波频率时,读取存储器单元存储的频率偏差值,并发送至射频收发器单元;

射频收发器单元根据所述频率偏差值对其产生的射频本振频率进行校正,产生射频载波频率。

7.如权利要求6所述的射频载波频率产生方法,其特征在于,还包括:

外界设备对所述射频收发器单元中本振晶体产生的射频本振频率进行测量,根据测量结果计算所述频率偏差值;

数据串口模块接收外界设备写入的所述频率偏差值,并传输至所述微控制单元;

所述微控制单元将所述频率偏差值写入所述存储器单元。

8.如权利要求6所述的射频载波频率产生方法,其特征在于,还包括:

本振频率检测单元检测所述射频收发器单元在输出目标射频载波频率时,其本振晶体产生的射频本振频率,并传输至所述微控制单元;

所述微控制单元根据射频本振频率及所述目标射频载波频率,计算得到所述频率偏差值,并将所述频率偏差值写入所述存储器单元。

9.如权利要求6所述的射频载波频率产生方法,其特征在于,所述存储器单元为FLASH存储器,所述FLASH存储器以四字节大小的整型数据存储所述频率偏差值。

10.如权利要求6至9任一项所述的射频载波频率产生方法,其特征在于,所述射频收发器单元根据所述频率偏差值对其产生的射频本振频率进行校正,产生射频载波频率包括:

本振晶体根据目标射频载波频率输出射频本振频率;

所述校正单元根据所述频率偏差值对所述射频本振频率进行校正,得到所述目标射频载波频率;

所述输出单元输出频率为所述目标射频载波频率的射频载波信号。

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