[发明专利]一种陶瓷基体的烧结方法在审
| 申请号： | 201710022608.8 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN107098707A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘小红 | 申请（专利权）人： | 苏州捷频电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 | 代理人： | 王珂 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 基体 烧结 方法 | ||
1.一种陶瓷基体的烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：将陶瓷基体分为多层放入烧结炉内：进一步包括：在烧结炉内将陶瓷基体按照一定的要求摆放在承烧板上，承烧板与承烧板之间采用立柱支撑；
S2：对烧结炉内的陶瓷基体进行烧结，进一步包括：
S2.1：第一升温及保温过程：将烧结炉内的温度在4小时内由室温升至280℃，随后在280℃温度下保温2小时；
S2.2：第二升温及保温过程：将烧结炉内的温度在4小时内由280℃升至580℃，随后在580℃温度下保温2小时；
S2.3：第三升温阶段：将烧结炉内的温度在12小时内由580℃升至800℃；
S2.4：第四升温阶段：将烧结炉内的温度在12小时内由800℃升至1100℃；
S2.5：第五升温及保温阶段：将烧结炉内的温度在12小时内由1100℃升至1290℃，随后在1290℃温度下保温2小时；
S2.6：第六降温阶段：将烧结炉内的温度在8小时内由1290℃降至1100℃；
S2.7：第七降温阶段：将烧结炉内的温度在4小时内由1100℃降至800℃；
S2.8：第八降温阶段：将烧结炉内的温度在12小时内由800℃降至400℃；
S2.9：第九降温阶段：将烧结炉内的温度在4小时内由400℃降至200℃；
S3：烧结完成，将烧结炉内的温度由200℃自然冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基体的烧结方法，其特征在于，在步骤S1中：摆放陶瓷基体时，立柱的高度高于该层陶瓷基体的高度。
3.根据权利要求2所述的一种陶瓷基体的烧结方法，其特征在于，在步骤S1中：该层陶瓷基体与上层承烧板之间的距离至少要大于或者等于5mm。
4.根据权利要求1所述的一种陶瓷基体的烧结方法，其特征在于，每一层承烧板上陶瓷基体与陶瓷基体之间有一定的距离。
5.根据权利要求4所述的一种陶瓷基体的烧结方法，其特征在于，每一层承烧板上陶瓷基体通孔的轴线方向应该与承烧板平面垂直。
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