[发明专利]一种高稳定性高电源噪声抑制比的低压差线性稳压电路在审
| 申请号： | 201710019455.1 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106774590A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李靖;冯晓龙;何鸣;魏祎;宁宁 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 电源 噪声 抑制 低压 线性 稳压 电路 | ||
1.一种高稳定性高电源噪声抑制比的低压差线性稳压电路，该稳压电路包括：误差放大器、调整电路；
所述误差放大器包括第一级放大器和第二级放大器；第一级放大器为传统的五管差分运算放大器；第二级放大器包括3个场效应晶体管：第一PMOS管(M1)、第一NMOS管(M2)和第二NMOS管(M3)、1个电阻(R1)、1个电容(C1)；其中第一PMOS管(M1)、第一NMOS管(M2)和第二NMOS管(M3)依次串联；所述第一PMOS管(M1)的源极接电源(VDD)，栅极接第一级运算放大器的输出(Vo1)；所述第一NMOS管(M2)的栅极接偏置电压(Vb2)；所述第二NMOS管(M3)的栅极接偏置电压(Vb1)，源极接地(VSS)；所述电阻(R1)和电容(C1)串联后并联于第一PMOS管(M1)的栅极与漏极两端，所述第一PMOS管(M1)和第一NMOS管(M2)的共接点为第二级运算放大器的输出(Vo2)；
所述调整电路包括：第二PMOS管(M4)、反馈电阻R2、R3和负载电阻RL；所述第二PMOS管(M4)的源极接电源(VDD)，栅极接第二级运算放大器的输出(Vo2)，漏极依次串联反馈电阻R2、R3后接地(VSS)；所述反馈电阻R2、R3的共接点连接第一级放大器的反馈输入(Vfb)；所述负载电阻RL并联于反馈电阻R2、R3两端；所述第二PMOS管(M4)与反馈电阻R2的共接点为调整电路的输出。
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