[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710018628.8 申请日: 2017-01-11
公开(公告)号: CN107039536B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 李有真;郑镇元;池光善 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0368;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【说明书】:

太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;保护膜层,该保护膜层形成在所述半导体基板的一个表面上面;第一导电区,该第一导电区被设置在所述保护膜层上面,所述第一导电区具有第一导电类型并且包含晶体半导体;以及第一电极,该第一电极电连接到所述第一导电区。所述第一导电区包括第一部分和第二部分,该第一部分被设置在所述保护膜层上面并且具有第一晶粒尺寸,该第二部分被设置在所述第一部分上面并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

技术领域

发明涉及具有改进结构的太阳能电池及其制造方法。

背景技术

近来,由于诸如油和煤这样的现有能源消耗,导致对用于代替现有能源的替代能源正在增加。最重要的是,太阳能电池是用于将太阳光转换成电能的受欢迎的下一代电池。

可以通过形成基于特定设计的各种层和电极来制造太阳能电池。可以通过各种层和电极的设计来确定太阳能电池的效率。为了使太阳能电池商业化,需要克服低效率和低生产率的问题,因此需要可以使太阳能电池的效率和生产率最大化的太阳能电池及其制造方法。

发明内容

根据本发明的一方面,提供了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;保护膜层,该保护膜层形成在所述半导体基板的一个表面上面;第一导电区,该第一导电区被设置在所述保护膜层上面,所述第一导电区具有第一导电类型并且包含晶体半导体;以及第一电极,该第一电极电连接到所述第一导电区,其中,所述第一导电区包括第一部分和第二部分,该第一部分被设置在所述保护膜层上面并且具有第一晶粒尺寸,该第二部分被设置在所述第一部分上面并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

根据本发明的另一方面,提供了一种制造太阳能电池的方法,该方法包括以下步骤:在半导体基板上面形成保护膜层;在所述保护膜层上面形成具有结晶度的导电区;以及形成与所述导电区电连接的电极,其中,在形成所述导电区的步骤中,所述导电区被形成为包括第一部分和第二部分,该第一部分被设置在所述保护膜层上面并且具有第一晶粒尺寸,该第二部分被设置在所述第一部分上面并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

附图说明

根据下面结合附图进行的详细描述,将更清楚地理解本发明的以上和其它目的、特征和优点,其中,

图1是例示了根据本发明的实施方式的太阳能电池的截面图;

图2是图1中例示的太阳能电池的部分后平面图;

图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F和图3G是例示了根据本发明的一个实施方式的太阳能电池的制造方法的截面图;

图4A、图4B和图4C是例示了根据本发明的一个实施方式的制造方法的一部分的截面图;

图5A、图5B、图5C和图5D是例示了根据本发明的另一个实施方式的制造方法的一部分的截面图;

图6是例示了根据本发明的另一个实施方式的太阳能电池的截面图;

图7是例示了根据本发明的另一个实施方式的太阳能电池的截面图;

图8是例示了根据本发明的另一个实施方式的太阳能电池的截面图;

图9是制造例1的第一太阳能电池的横截面照片;

图10是比较例1的第一比例太阳能电池的横截面照片;

图11是例示了根据制造例1的第一太阳能电池至第四太阳能电池的第一导电区的薄膜电阻和第一太阳能电池至第四太阳能电池的隐开路电压(implied open-circuitvoltage)Vimp的曲线图;

图12是例示了根据比较例1的第一比较太阳能电池至第三比较太阳能电池的第一导电区的薄膜电阻和第一比较太阳能电池至第三比较太阳能电池的隐开路电压的曲线图;以及

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