[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

晶体半导体基板；

绝缘层，该绝缘层形成在所述半导体基板的表面上面；

多晶硅层，该多晶硅层具有第一导电类型区，该多晶硅层被设置在所述绝缘层上面；以及

第一电极，该第一电极电连接到所述第一导电类型区，

其中，所述第一导电类型区包括第一部分和第二部分，该第一部分位于所述绝缘层和所述第一电极之间并且具有第一晶粒尺寸，该第二部分位于所述第一部分和所述第一电极之间并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸，

其中，所述第一晶粒尺寸的范围是10nm至1μm，并且所述第二晶粒尺寸的范围是20nm至600μm，

其中，所述第一晶粒尺寸和所述第二晶粒尺寸之差的范围是10nm至600μm，

其中，所述第一晶粒尺寸与所述第二晶粒尺寸之比的范围是1:1.5至1:100，并且

其中，所述第一部分的掺杂浓度低于所述第二部分的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

第二导电区，该第二导电区被设置在所述绝缘层上面，所述第二导电区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；以及

第二电极，该第二电极电连接到所述第二导电区。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，仅所述第一导电类型区包括所述第一部分和所述第二部分，并且所述第二导电区仅包括所述第一部分，而不包括所述第二部分。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第二导电区包含所述第二导电类型的晶体半导体，并且包括第一部分以及按照靠近所述第二电极的方式设置在所述第一部分上面的第二部分，并且

其中，所述第二部分具有大于所述第一部分的晶粒尺寸。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第二导电区在与所述第一导电类型区相同的平面中被设置在所述绝缘层上面，并且包含晶体半导体。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，在所述第一导电类型区和所述第二导电区之间设置有屏障区，并且所述屏障区是由绝缘材料或本征半导体材料形成的。

7.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第二导电区被设置在单独的绝缘层上面，所述单独的绝缘层被设置在所述半导体基板的剩余表面上。

8.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第二导电区被配置为在所述半导体基板的剩余表面上通过对所述半导体基板的一部分进行掺杂而形成的掺杂区。

9.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

在晶体半导体基板上面形成绝缘层；

在所述绝缘层上面形成具有第一导电类型区的多晶硅层；以及

形成与所述第一导电类型区电连接的电极，

其中，在形成所述第一导电类型区的步骤中，所述第一导电类型区被形成为包括第一部分和第二部分，该第一部分位于所述绝缘层和所述电极之间并且具有第一晶粒尺寸，该第二部分位于所述第一部分和所述电极之间并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸，

其中，所述第一晶粒尺寸的范围是10nm至1μm，并且所述第二晶粒尺寸的范围是20nm至600μm，

其中，所述第一晶粒尺寸和所述第二晶粒尺寸之差的范围是10nm至600μm，

其中，所述第一晶粒尺寸与所述第二晶粒尺寸之比的范围是1:1.5至1:100，并且

其中，所述第一部分的掺杂浓度低于所述第二部分的掺杂浓度。