[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法以及半导体结构。所述半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年1月11日提交至韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请No.10-2016-0003213的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

示例实施例涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，示例实施例涉及包括位于栅极结构的侧壁上的间隔件的半导体器件及其制造方法。

背景技术

在制造鳍形场效应晶体管(finFET)时，可在伪栅极上形成间隔件层，可对该间隔件层进行各向异性刻蚀以形成位于伪栅极的侧壁上的间隔件，可利用伪栅极和间隔件作为刻蚀掩模对有源鳍邻近伪栅极的上部进行刻蚀来形成凹进，并且可执行选择性外延生长(SEG)工艺来在凹进中形成源极/漏极层。可去除伪栅极来形成开口，并且可在开口中形成栅极结构。间隔件可包括用于执行各种刻蚀处理和SEG工艺的适当的材料。

发明内容

示例实施例提供一种具有改善的特性的半导体器件。

示例实施例提供一种制造具有改善的特性的半导体器件的方法。

根据示例实施例，一种半导体器件包括：衬底上的有源鳍；有源鳍上的栅极结构；栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构；以及在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。栅极间隔件结构可包括堆叠(例如，顺序地堆叠)的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气(outgassing)阻止图案。

根据示例实施例，一种半导体器件包括：分别在衬底的第一区和第二区上的第一有源鳍和第二有源鳍；分别在第一有源鳍和第二有源鳍上的第一栅极结构和第二栅极结构；第一栅极结构的侧壁上的第一栅极间隔件结构；第二栅极结构的侧壁上的第二栅极间隔件结构；在第一有源鳍邻近第一栅极间隔件结构的至少一部分上的第一源极/漏极层；以及在第二有源鳍邻近第二栅极间隔件结构的至少一部分上的第二源极/漏极层。第一栅极间隔件结构可包括堆叠(例如，顺序地堆叠)的第一湿法刻蚀停止图案、第一含氧硅图案和第一除气阻止图案，并且第二栅极间隔件结构可包括堆叠(例如，顺序地堆叠)的第二湿法刻蚀停止图案、第二含氧硅图案和第二除气阻止图案。

根据示例实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，其中，可在衬底上形成隔离图案以在衬底上限定有源鳍。可在有源鳍上形成伪栅极结构。可在伪栅极结构的侧壁上形成栅极间隔件结构，其包括堆叠(例如，顺序地堆叠)的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气削减或阻止图案。可利用伪栅极结构和栅极间隔件结构作为刻蚀掩模去除有源鳍的上部，以在有源鳍上形成凹进。可执行选择性外延生长(SEG)工艺以在凹进中形成源极/漏极层。可用栅极结构置换伪栅极结构。

根据示例实施例，提供了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，可在衬底上形成隔离图案，以在衬底的第一区和第二区上分别限定第一有源鳍和第二有源鳍。可分别在第一有源鳍和第二有源鳍上形成第一伪栅极结构和第二伪栅极结构。可在第一伪栅极结构的侧壁上形成包括堆叠(例如，顺序地堆叠)的第一湿法刻蚀停止图案、第一含氧硅图案和第一除气削减或阻止图案的第一栅极间隔件结构。可执行第一选择性外延生长(SEG)工艺来在第一有源鳍邻近第一栅极间隔件结构的至少一部分上形成第一源极/漏极层。可在第二伪栅极结构的侧壁上形成包括堆叠(例如，顺序地堆叠)的第二湿法刻蚀停止图案、第二含氧硅图案和第二除气削减或阻止图案的第二栅极间隔件结构。可执行第二选择性外延生长(SEG)工艺来在第二有源鳍邻近第二栅极间隔件结构的至少一部分上形成第二源极/漏极层。可用第一栅极结构和第二栅极结构分别置换第一伪栅极结构和第二伪栅极结构。