[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底上的有源鳍；

有源鳍上的栅极结构；

栅极结构的侧壁上的栅极间隔件结构，所述栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的湿法刻蚀停止图案、含氧硅图案和除气阻止图案；

扩散阻止图案，所述扩散阻止图案与有源鳍的上表面和湿法刻蚀停止图案的底部直接接触，所述扩散阻止图案的上表面具有与湿法刻蚀停止图案的底部相等或比湿法刻蚀停止图案的底部更小的面积，并且所述扩散阻止图案构造为阻止湿法刻蚀停止图案的成分扩散到有源鳍中；以及

在有源鳍邻近栅极间隔件结构的至少一部分上的源极/漏极层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，湿法刻蚀停止图案和除气阻止图案分别包括碳氮化硅和氮化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，含氧硅图案包括氧碳氮化硅、二氧化硅和/或氮氧化硅。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，含氧硅图案包括氧碳氮化硅，并且其中，除气阻止图案阻止含氧硅图案的成分除气。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，湿法刻蚀停止图案和含氧硅图案中的至少一个具有沿一个方向截取的截面，该截面具有类L形状。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，湿法刻蚀停止图案直接接触栅极结构的侧壁。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，源极/漏极层包括硅-锗、硅的碳化物或硅。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，有源鳍在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸，栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且栅极间隔件结构形成在栅极结构的在第一方向上相对的侧壁中的至少一个上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，除气阻止图案阻止含氧硅图案的成分除气。

10.一种半导体器件，包括：

分别在衬底的第一区和第二区上的第一有源鳍和第二有源鳍；

分别在第一有源鳍和第二有源鳍上的第一栅极结构和第二栅极结构；

第一栅极结构的侧壁上的第一栅极间隔件结构，所述第一栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的第一湿法刻蚀停止图案、第一含氧硅图案和第一除气阻止图案；

第二栅极结构的侧壁上的第二栅极间隔件结构，所述第二栅极间隔件结构包括顺序地堆叠的第二湿法刻蚀停止图案、第二含氧硅图案和第二除气阻止图案；

在第一有源鳍邻近第一栅极间隔件结构的至少一部分上的第一源极/漏极层；

在第二有源鳍邻近第二栅极间隔件结构的至少一部分上的第二源极/漏极层；以及

第一扩散阻止图案和第二扩散阻止图案，第一扩散阻止图案和第二扩散阻止图案分别与第一湿法刻蚀停止图案和第二湿法刻蚀停止图案的上表面以及第一湿法刻蚀停止图案和第二湿法刻蚀停止图案的底部直接接触，第一扩散阻止图案和第二扩散阻止图案构造为阻止第一湿法刻蚀停止图案和第二湿法刻蚀停止图案各自的成分分别扩散到第一有源鳍和第二有源鳍中，第一扩散阻止图案的上表面和第二扩散阻止图案的上表面分别具有小于或等于第一湿法刻蚀停止图案的底部的面积和小于或等于第二湿法刻蚀停止图案的底部的面积，以阻止第一扩散阻止图案和第二扩散阻止图案各自的成分扩散到第一有源鳍和第二有源鳍中。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，第一源极/漏极层包括硅-锗，并且第二源极/漏极层包括硅的碳化物或硅。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，第一湿法刻蚀停止图案和第二湿法刻蚀停止图案包括碳氮化硅，并且第一除气阻止图案和第二除气阻止图案包括氮化硅。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，第一含氧硅图案和第二含氧硅图案包括氧碳氮化硅、二氧化硅和/或氮氧化硅。