[发明专利]非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：

存储器单元阵列，包括多个存储器单元；

地址解码器，被配置为通过多条字线连接到存储器单元，并且将选择读取电压和未选择读取电压提供至字线；

控制逻辑，被配置为控制地址解码器以在连续读取模式下执行多个读取序列，并且将至少一个读取序列中的字线设置开始点调节为与在至少一个其它读取序列中的字线设置开始点不同，其中，字线设置开始点是选择读取电压和未选择读取电压开始被提供给电压电平为地电压的字线的时刻。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，读取序列包括第一读取序列和在第一读取序列之后执行的第二读取序列，

其中，第二读取序列的字线设置在第一读取序列完成之前开始。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，读取序列包括第一读取序列和在第一读取序列之后执行的第二读取序列，

其中，第一读取序列包括第一页缓冲器初始化区间、第一读取操作区间、第一恢复区间和第一转储区间，

其中，第二读取序列包括第二页缓冲器初始化区间、第二读取操作区间、第二恢复区间和第二转储区间。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，第二读取序列的字线设置在第一转储区间的开始时刻开始。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，第二读取序列的字线设置在第一恢复区间中开始。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置，其中，第二读取序列的字线设置在选择的和未选择的字线的电压电平在第一读取操作后向地电压降落之后开始。

7.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，第一页缓冲器初始化区间在第一时间间隔期间执行，

其中，第二页缓冲器初始化区间在比第一时间间隔短的第二时间间隔期间执行。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，控制逻辑根据读取命令选择单个读取模式或连续读取模式。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其中，在单个读取模式中，页缓冲器初始化区间在第一时间间隔期间执行。

10.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：

存储器单元阵列，包括多个存储器单元；

地址解码器，被配置为通过多条字线连接到存储器单元，并且将选择读取电压或未选择读取电压提供至字线；

控制逻辑，被配置为响应于读取命令来确定读取模式是单个读取模式还是连续读取模式，

其中，控制逻辑控制地址解码器以在连续读取模式下执行多个读取序列，并且将至少一个读取序列中的字线设置开始点调节为与单个读取模式下的字线设置开始点不同，其中，字线设置开始点是选择读取电压和未选择读取电压开始被提供给电压电平为地电压的字线的时刻。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，在连续读取模式下的读取序列包括第一读取序列和在第一读取序列之后执行的第二读取序列，

其中，第二读取序列的字线设置在第一读取序列完成之前开始。

12.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，在单个读取模式下，页缓冲器初始化区间在第一时间间隔期间执行，

其中，在连续读取模式下，读取序列的至少一个页缓冲器初始化区间在比第一时间间隔短的第二时间间隔期间执行。