[发明专利]平坦化方法

说明书

本发明公开一种平坦化方法，包含提供一基底，具有一主表面。一凸起结构，位于主表面上。形成一绝缘层，共型地覆盖主表面以及凸起结构的顶面及侧壁。形成一停止层，位于绝缘层上并且至少覆盖凸起结构的顶面。然后全面性地形成一第一介电层，并以一化学机械研磨制作工艺移除部分第一介电层直到暴露出停止层，得到一上表面。形成一预定厚度的第二介电层，覆盖上表面。

技术领域

本发明涉及半导体制作工艺领域，特别涉及一种平坦化方法。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)属于一种挥发性存储器，包含由多个存储单元(memory cell)构成的阵列区(array area) 以及控制电路所在的周边区(peripheral area)。一般而言，各存储单元是由一晶体管(transistor)连接一电容器(capacitor)的结构(1T1C)，通过电容存储电荷来达到存储数据的目的。

随着制成世代的演进，为了缩小存储单元的尺寸而制作出具备更高集密度的芯片，存储器的结构已朝向三维(three-dimensional)发展，例如采用冠式电容结构(crown-type capacitor)，其存储单元的电容是以垂直的方向设置在晶体管上，不仅可大幅减少电容占据的平面面积，制作上也更具弹性，例如可简单通过增加电容的高度来增加电容的电极的接触面积而得到更大的电容量。

然而，冠式电容结构(crown-type capacitor)使得存储器的阵列区和周边区之间具有明显的阶梯差(step height)，造成后续平坦化制作工艺的控制更加困难。因此，本领域仍须要一种改良的平坦化制作工艺，可克服明显的阶梯差而得到一平坦的上表面。

发明内容

本发明目的在于提供一种改良的平坦化方法，可较准确控制而制作出理想的平坦上表面。

本发明第一方面提供的平坦化方法，包含下列步骤。首先，提供一基底，具有一主表面，以及一凸起结构，位于该主表面上。接着，形成一绝缘层，共型地覆盖该主表面以及该凸起结构的顶面及侧壁，以及一停止层，位于该绝缘层上并且至少覆盖该凸起结构的顶面。然后，全面性地形成一第一介电层，并进行一化学机械研磨制作工艺，移除部分该第一介电层直到暴露出覆盖该凸起结构的顶面的该停止层，得到一包含该停止层以及该第一介电层的平坦的上表面。后续，形成一预定厚度的第二介电层，覆盖该上表面。

本发明第二方面提供的平坦化方法，包含下列步骤。首先，提供一基底，具有一主表面，以及一凸起结构，位于该主表面上。接着，形成一预定厚度的绝缘层，共型地覆盖该主表面以及该凸起结构的顶面及侧壁，以及一停止层，位于该绝缘层上并且仅覆盖该凸起结构的顶面。然后，全面性地形成一第一介电层，并进行一化学机械研磨制作工艺，移除部分该第一介电层直到暴露出覆盖该凸起结构的顶面的该停止层，得到一包含该停止层以及该第一介电层的平坦的上表面。后续，移除该停止层，暴露出覆盖该凸起结构顶面的该绝缘层。

附图说明

图1至图7为本发明第一实施例的步骤剖面示意图，其中图7为图6所示步骤的一变化型；

图8至图14为本发明第二实施例的步骤剖面示意图，其中图14为图13 所示步骤的一变化型；

图15至图20为本发明第三实施例的步骤剖面示意图。

主要元件符号说明

10 基底

10a 主表面

12 凸起结构

12a 顶面

12b 侧壁

14 盖层

16 绝缘层