[发明专利]平坦化方法

权利要求书

1.一种平坦化方法，包含:

提供一基底，具有一主表面；

凸起结构，位于该主表面上，其中该凸起结构包含一存储器的冠式电容；

形成一绝缘层，共型地覆盖该主表面以及该凸起结构的顶面及侧壁；

在该绝缘层上形成一停止层，至少覆盖该凸起结构的顶面；

全面性地形成一第一介电层，该第一介电层的厚度至少大于该凸起结构的厚度；

进行一化学机械研磨制作工艺，移除部分该第一介电层直到暴露出该停止层，得到一平坦的上表面；

形成一预定厚度的第二介电层，覆盖该上表面。

2.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该停止层于该化学机械研磨制作工艺中的移除率小于该第一介电层于该化学机械研磨制作工艺中的移除率的十分之一。

3.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该停止层的材料包含氮化硅、氮氧化硅或碳氮化硅，该第一介电层的材料包含氧化硅。

4.如权利要求1所述的平坦化方法，其中形成该第二介电层之前，另包含移除暴露的该停止层。

5.如权利要求1所述的平坦化方法，其中形成该第二介电层之后，另包含进行一缓冲研磨制作工艺。

6.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该停止层仅覆盖该凸起结构的顶面。

7.如权利要求6所述的平坦化方法，其中该第一介电层通过该绝缘层而与该凸起结构和该基底完全区隔开。

8.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该停止层覆盖该凸起结构的顶面和侧壁，以及该凸起结构周围的部分该主表面。

9.如权利要求8所述的平坦化方法，其中形成该停止层的步骤包含移除未被该停止层覆盖的该绝缘层，暴露出部分该主表面。

10.如权利要求9所述的平坦化方法，其中该暴露的主表面与该第一介电层直接接触。

11.如权利要求1所述的平坦化方法，其中该绝缘层以及该停止层的厚度分别小于或等于100埃。

12.一种平坦化方法，包含:

提供一基底，具有一主表面；

凸起结构，位于该主表面上，其中该凸起结构包含一存储器的冠式电容；

形成一预定厚度的绝缘层，共型地覆盖该主表面以及该凸起结构的顶面及侧壁；

在该绝缘层上形成一停止层，仅覆盖该凸起结构的顶面；

全面性地形成一第一介电层，该第一介电层的厚度至少大于该凸起结构的厚度；

进行一化学机械研磨制作工艺，移除部分该第一介电层直到暴露出该停止层，得到一平坦的上表面。

13.如权利要求12所述的平坦化方法，另包含移除该停止层，暴露出覆盖该凸起结构顶面的该绝缘层。

14.如权利要求12所述的平坦化方法，其中该停止层于该化学机械研磨制作工艺中的移除率小于该第一介电层于该化学机械研磨制作工艺中的移除率的十分之一。

15.如权利要求12所述的平坦化方法，其中该停止层的材料包含氮化硅、氮氧化硅或碳氮化硅，该第一介电层的材料包含氧化硅。

16.如权利要求12所述的平坦化方法，其中移除该停止层时也会等量地移除该停止层及部分该第一介电层。

17.如权利要求12所述的平坦化方法，其中该凸起结构以及该基底通过该绝缘层而与该第一介电层完全区隔开。