[发明专利]半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法

说明书

本发明公开了半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法。该半导体晶片包括：包含彼此相对的第一和第二表面的主体；包含在外周上的凹陷的凹口；沿主体的外周形成的第一倒角区域，第一倒角区域包括第一斜坡，第一斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第一斜坡交汇的第一点到第二表面和第一斜坡交汇的第二点延伸的直线具有第一高度；以及与凹陷或开口接触的第二倒角区域，第二倒角区域包括第二斜坡，第二斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第二斜坡交汇的第三点到第二表面和第二斜坡交汇的第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度。

技术领域

本发明构思的示例实施方式涉及半导体晶片、半导体结构和/或制造半导体晶片的方法。

背景技术

由于关于半导体电路的微加工和复杂化，制造半导体器件的工艺可以在相对高的温度下被执行，这会导致在它的设计规则上的减少。当工艺温度增加时，大量的热可以被施加到半导体晶片上，并且因此半导体晶片可以被损坏。

同时，凹口可以主要被用于指示具有300微米或更大的直径的半导体晶片的晶向，并且凹口可以被用于在半导体制造工艺过程中对准半导体晶片。

发明内容

本发明构思的示例实施方式提供配置为在高温工艺过程中减小(或替代地，消除)出现在凹口上的损坏的半导体晶片、包括半导体晶片的半导体结构以及制造半导体晶片的方法。

根据本发明构思的一示例实施方式，此处提供制造半导体晶片的方法，该方法包括：准备半导体晶片，半导体晶片包括彼此相对的第一和第二表面以及在半导体晶片的外周上的凹口，凹口包括朝向半导体晶片的中心部分的在外周上的凹陷；通过处理半导体晶片的外周形成第一倒角区域，第一倒角区域包括连接第一和第二表面的第一斜坡，第一斜坡相对于从第一点到第二点延伸的直线具有第一高度，第一点是第一表面和第一斜坡交汇的点，并且第二点是第二表面和第一斜坡交汇的点；以及通过处理凹口形成第二倒角区域，第二倒角区域接触凹陷，第二倒角区域包括连接第一和第二表面的第二斜坡，第二斜坡相对于从第三点到第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度，第三点是第一表面和第二斜坡交汇的点，并且第四点是第二表面和第二斜坡交汇的点。

根据本发明构思的另一示例实施方式，此处提供半导体晶片，包括：包含彼此相对的第一和第二表面的主体；在半导体晶片的外周上的凹口，凹口包括朝向半导体晶片的中心部分的在外周上的凹陷；沿主体的外周的第一倒角区域，第一倒角区域包括连接第一和第二表面的第一斜坡，第一斜坡相对于从第一点到第二点延伸的直线具有第一高度，第一点是第一表面和第一斜坡交汇的点，并且第二点是第二表面和第一斜坡交汇的点；以及与凹陷接触的第二倒角区域，第二倒角区域包括连接第一和第二表面的第二斜坡，第二倒角区域相对于从第三点到第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度，第三点是第一表面和第二斜坡交汇的点，第四点是第二表面和第二斜坡交汇的点。

根据本发明构思的另一示例实施方式，此处提供包括具有彼此相对的第一和第二表面的半导体晶片的半导体结构，半导体晶片包括：芯片形成区域，以及围绕芯片形成区域的边缘区域；布置在芯片形成区域中的半导体芯片；在半导体晶片的外周上的凹口，凹口包括朝向半导体晶片的中心部分的在外周上的凹陷；沿半导体晶片的外周的第一倒角区域，第一倒角区域具有连接第一和第二表面的第一斜坡，并且第一倒角区域相对于从第一点到第二点延伸的直线具有第一高度，第一点是第一表面和第一斜坡交汇的点，第二点是第二表面和第一斜坡交汇的点；以及具有连接第一和第二表面的第二斜坡的第二倒角区域，并且第二倒角区域相对于从第三点到第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度，第三点是第一表面和第二斜坡交汇的点，并且第四点是第二表面和第二斜坡交汇的点。