[发明专利]半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种制造半导体晶片的方法，所述方法包括：

提供半导体晶片，所述半导体晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面以及在所述半导体晶片的外周上的凹口，所述凹口包括朝向所述半导体晶片的中心部分的在所述外周上的凹陷；

通过处理所述半导体晶片的所述外周形成第一倒角区域，所述第一倒角区域包括连接所述第一表面和所述第二表面的第一斜坡，所述第一斜坡相对于从第一点到第二点延伸的直线具有第一高度，所述第一点是所述第一表面和所述第一斜坡交汇的点，所述第二点是所述第二表面和所述第一斜坡交汇的点；以及

通过处理所述凹口形成第二倒角区域，所述第二倒角区域形成在所述凹口中以接触所述凹陷并且被连接到沿所述半导体晶片的所述外周形成的所述第一倒角区域，所述第二倒角区域包括连接所述第一表面和所述第二表面的第二斜坡，所述第二斜坡相对于从第三点到第四点延伸的直线具有不同于所述第一高度的第二高度，所述第三点是所述第一表面和所述第二斜坡交汇的点，以及所述第四点是所述第二表面和所述第二斜坡交汇的点。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二高度小于所述第一高度。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶片的主体的厚度是所述第二高度的至少三倍大。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述凹陷的深度是0.4微米到1.0微米。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第二倒角区域包括：

使用具有第一网格的抛光表面的棘轮对所述凹口进行第一磨削；以及

使用具有第二网格的抛光表面的棘轮对所述凹口进行第二磨削，所述第二网格大于所述第一网格。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第二网格包括2000个网格到10000个网格。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述第二倒角区域之后通过在所述半导体晶片上执行热处理而检查所述半导体晶片是否有缺陷，所述检查包括：

在第一温度下在所述半导体晶片上执行所述热处理；以及

在第二温度下在所述半导体晶片上执行所述热处理，所述第二温度大于所述第一温度。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一温度在1000℃和1150℃之间。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述检查还包括：

在所述第一温度下在所述半导体晶片上执行所述热处理之前，在所述半导体晶片上形成外延层。

10.一种半导体晶片，包括：

包含彼此相对的第一表面和第二表面的主体；

在所述半导体晶片的外周上的凹口，所述凹口包括朝向所述半导体晶片的中心部分的在所述外周上的凹陷；

沿所述主体的所述外周的第一倒角区域，所述第一倒角区域包括连接所述第一表面和所述第二表面的第一斜坡，所述第一斜坡相对于从第一点到第二点延伸的直线具有第一高度，所述第一点是所述第一表面和所述第一斜坡交汇的点，以及所述第二点是所述第二表面和所述第一斜坡交汇的点；以及

第二倒角区域，形成在所述凹口中以与所述凹陷接触并且被连接到沿所述半导体晶片的所述外周形成的所述第一倒角区域，所述第二倒角区域包括连接所述第一表面和所述第二表面的第二斜坡，所述第二倒角区域相对于从第三点到第四点延伸的直线具有不同于所述第一高度的第二高度，所述第三点是所述第一表面和所述第二斜坡交汇的点，所述第四点是所述第二表面和所述第二斜坡交汇的点。

11.如权利要求10所述的半导体晶片，其中所述主体包括芯片形成区域以及围绕所述芯片形成区域的边缘区域，所述凹口在所述边缘区域中。

12.如权利要求10所述的半导体晶片，其中所述第二高度小于所述第一高度。