[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，当在晶片的内部沿着分割预定线层叠多层改质层而进行分割时，通过对从初期改质层朝向正面成长的裂纹的方向进行限制，能够对分割面的弯曲行进进行抑制。一种晶片的加工方法，该晶片的加工方法包含如下的工序：初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及次期改质层形成工序，与初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的聚光点而沿着分割预定线进行照射，由此形成用于使裂纹从初期改质层朝向正面成长的次期改质层。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线进行分割，在该晶片中，在该晶片的正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上由呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内形成IC、LSI等器件。通过沿着分割预定线将这样形成的半导体晶片切断而对形成有器件的区域进行分割而制造出各个器件芯片。

作为对半导体晶片等晶片进行分割的方法，实用化一种被称为内部加工的激光加工方法：使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线并将聚光点定位在待分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。使用了该被称为内部加工的激光加工方法的分割方法是如下的技术：将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在晶片的内部而沿着分割预定线照射脉冲激光光线，由此，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改质层，通过对晶片施加外力而沿着因形成改质层而强度降低的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片(例如，参照专利文献1)。

作为对晶片施加外力的方法，在下述专利文献2中公开了如下技术：在晶片的正面上粘贴保护带，对晶片的背面进行磨削而形成为规定的厚度，并且通过磨削对晶片施加外力，由此，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

专利文献2：日本特开2014-17287号公报

为了沿着分割预定线对通过上述的被称为内部加工的激光加工方法在内部沿着分割预定线连续地形成了改质层的晶片进行可靠地分割，需要在晶片的内部沿着分割预定线层叠地形成多个改质层。

然而，如图10所示当在最初形成于晶片W的下表面(正面)侧的初期改质层B1的正上方的上表面(背面)侧形成次期改质层B2时，裂纹C从初期改质层B1朝向下表面(正面)以随机的方向成长。因此，当对晶片施加外力而分割成各个器件芯片时，存在因正面侧的分割面弯曲行进而使器件的品质降低的问题。

特别是在对晶片的背面进行磨削而使晶片形成为规定的厚度并且通过磨削对晶片施加外力由此在沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片的情况下，上述问题变得明显。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供晶片的加工方法，当在晶片的内部沿着分割预定线层叠多层改质层而进行分割时，通过对从初期改质层朝向正面成长的裂纹的方向进行限制，能够对分割面的弯曲行进进行抑制。