[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，将在正面上呈格子状形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：

初期改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的第1聚光点从晶片的背面侧定位在与分割预定线对应的晶片内部的正面附近而沿着分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成初期改质层；以及

次期改质层形成工序，在实施了该初期改质层形成工序之后，与该初期改质层的背面侧相邻地定位激光光线的第2聚光点而沿着分割预定线照射激光光线，由此形成次期改质层，该次期改质层用于使裂纹从初期改质层朝向正面成长，

在该次期改质层形成工序中，将激光光线的第2聚光点定位在从初期改质层的正上方向与X轴方向垂直的Y轴方向稍微产生了偏置的位置上而进行照射，由此使从初期改质层朝向晶片的正面成长的裂纹朝向与从所述第1聚光点向所述第2聚光点产生了偏置的方向的相反侧成长而对该初期改质层朝向晶片的正面成长的该裂纹的方向进行限制。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

该晶片的加工方法还具有如下的背面磨削工序：在实施了该次期改质层形成工序之后，在将保护部件粘贴在晶片的正面上的状态下对晶片的背面进行磨削而将晶片形成为规定的厚度并且分割成各个器件芯片。

3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

该偏置量被设定为6μm～8μm。