[发明专利]阵列基板及其制作工艺、显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作工艺、显示面板、显示装置。

背景技术

为了提高薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)面板的显示品质，需要TFT面板更加精细化、每英寸所拥有的像素(Pixel)数目(Pixels Per Inch，PPI)更多。因此，使用铜配线取代原有的铝配线，而铜配线一般会采用湿法刻蚀，以形成需要的图形，而刻蚀液中水含量超过80％，使得铜配线在进行湿法刻蚀的过程中容易发生光阻在铜薄膜表面的脱落现象，导致无法顺利得到需要的图形，阵列基板制作失败。

发明内容

本申请实施例提供了一种阵列基板及其制作工艺、显示面板、显示装置，用以避免在对金属层进行刻蚀过程中其表面光阻的脱落问题，从而提高阵列基板的制作成功率。

本申请实施例提供的一种阵列基板的制作工艺，包括：

形成第一金属层；

在所述第一金属层表面形成凹凸结构；

在形成有凹凸结构的第一金属层表面设置光阻；

对设置有所述光阻的第一金属层分别进行曝光、显影、刻蚀，形成第一金属图形。

本申请实施例提供的阵列基板的制作工艺，通过在第一金属层表面形成凹凸结构，然后在形成有凹凸结构的第一金属层表面设置光阻，从而增加第一金属层对其表面附着的光阻的粘附力，避免在对设置有光阻的第一金属层分别进行曝光、显影、刻蚀以形成源极、漏极的过程中的光阻脱落问题，进而使得制作过程可以顺利进行，提高了阵列基板的制作成功率。

可选地，所述第一金属层为源漏金属层，所述第一金属图形为包括源极、漏极的图形。

可选地，还包括：

在基板上制作栅极；

在栅极之上制作栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制作半导体层；

所述第一金属层设置在所述半导体层之上。

可选地，通过对所述第一金属层进行等离子体处理，在所述第一金属层表面形成凹凸结构。

可选地，利用含有卤素元素的气体，对所述第一金属层进行等离子体处理。

可选地，所述源漏金属层的材料为铜Cu。

可选地，所述颗粒状结构为CuClx固体结构。

可选地，所述含有卤素元素的气体为含有下列一种或多种元素的气体：Cl₂、Br₂、I₂、HCl、HBr、HI。

可选地，对所述第一金属层进行等离子体处理时的温度低于200摄氏度。

可选地，所述刻蚀为湿法刻蚀。

可选地，所述栅极包括下列材料之一或组合：Cu、Ti、Mo、Al、W、Cr。

可选地，所述栅极绝缘层包括下列材料之一或组合：TiO₂、Yi₂O₃、Al₂O₃、SiNx、SiON、SiO₂。

可选地，所述半导体层的材料为a-Si，或者所述半导体层为氧化物半导体。

可选地，所述氧化物半导体为下列半导体之一：IGZO、IZO、IGO、GZO、ZnO、ITZO。

本申请实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括：

第一金属图形，其中在所述第一金属图形表面具有凹凸结构。

可选地，所述凹凸结构为颗粒状结构。

颗粒状结构可以进一步增加第一金属层对其表面附着的光阻的粘附力。

可选地，所述第一金属图形表面的凹凸结构的材料为金属卤化物。

可选地，所述第一金属图形包括栅极、和/或源极、和/或漏极。

本申请实施例提供的一种显示面板，包括本申请实施例提供的所述的阵列基板。

本申请实施例提供的一种显示装置，包括本申请实施例提供的所述的显示面板。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种阵列基板及其制作工艺的流程示意图；

图2为本申请实施例提供的在基板上制作有栅极的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的在基板上制作有栅极、栅极绝缘层的结构示意图；