[发明专利]阵列基板及其制作工艺、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作工艺，其特征在于，包括：

形成第一金属层；

在所述第一金属层表面形成凹凸结构；

在形成有凹凸结构的第一金属层表面设置光阻；

对设置有所述光阻的第一金属层分别进行曝光、显影、刻蚀，形成第一金属图形。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述第一金属层为源漏金属层，所述第一金属图形为包括源极、漏极的图形。

3.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，还包括：

在基板上制作栅极；

在栅极之上制作栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上制作半导体层；

所述第一金属层设置在所述半导体层之上。

4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，通过对所述第一金属层进行等离子体处理，在所述第一金属层表面形成凹凸结构。

5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，利用含有卤素元素的气体，对所述第一金属层进行等离子体处理。

6.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于，所述第一金属层的材料为Cu。

7.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于，所述含有卤素元素的气体为含有下列一种或多种元素的气体：Cl₂、Br₂、I₂、HCl、HBr、HI。

8.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，对所述第一金属层进行等离子体处理时的温度低于200摄氏度。

9.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀。

10.一种阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：

第一金属图形，其中在所述第一金属图形表面具有凹凸结构。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述凹凸结构为颗粒状结构。

12.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属图形表面的凹凸结构的材料为金属卤化物。

13.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属图形包括栅极、和/或源极、和/或漏极。

14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求10～13任一权项所述的阵列基板。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14所述的显示面板。