[发明专利]UV芯片封装结构及其封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种UV芯片封装结构及其封装方法。

背景技术

紫外线LED当前的用途广泛包括：波长为230-400nm的主要用于光学传感器和仪器，波长为230-280nm的主要用于紫外线身份验证、条码，波长为240-280nm的主要用于表面积水的杀菌，波长为250-405nm的主要用于鉴别和体液检测和分析，波长为270-300nm的主要用于蛋白质分析和药物发明，波长为300-320nm的主要用于医学光照疗法，波长为300-365nm的主要用于高分子和油墨印刷，波长为375-395nm的主要用于辨伪，波长为390-410nm的主要用于表面除菌或美容除菌。

然而，现有技术中的紫外线LED，常常具有发光效率低、可靠性不足的缺陷。

发明内容

针对上述技术中存在的不足之处，本发明提供一种提高发光效率、保证焊接可靠性的UV芯片封装结构及其封装方法。

为了达到上述目的，本发明一种UV芯片封装结构，包括导线架、UV芯片本体和UV填充胶，所述导线架上设有多个基板和由基板延伸出的多边形碗杯，每个多边形碗杯的底部均设有两个功能区和一个隔离板，所述隔离板设置在两个功能区之间；所述UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且所述UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，所述多边形碗杯套设在模具中，且所述多边形碗杯和模具内注入UV填充胶后固化成型为透镜。

其中，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀有金属镀层。

其中，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接。

其中，两个功能区的金属镀层上均设有金球后，所述UV芯片本体的顶部正电极连接一根金属键合丝的一端，且所述一根金属键合丝的另一端压线在一个功能区的金球上；所述UV芯片本体的顶部负电极连接另一根金属键合丝的一端，且所述另一根金属键合丝的另一端压线在另一个功能区的金球上。

其中，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接后进行种金球，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接后进行种金球。

其中，所述UV芯片本体的正极通过锡膏与一个功能区上的金属镀层键结，所述UV芯片本体的负极通过锡膏与另一个功能区上的金属镀层键结，且所述UV芯片本体的正极与负极之间通过隔离板隔离。

其中，两个功能区的厚度均比隔离板的厚度大，且两个功能区与隔离板之间形成台阶结构。

为了实现上述目的，本发明还提供一种UV芯片封装结构的封装方法，包括以下步骤：

步骤1，将UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且将UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合；

步骤2，在多边形碗杯中点入UV填充胶，且将多边形碗杯套设在模具中；

步骤3，在多边形碗杯和模具中注入UV填充胶后进行加热，直至固化成型为透镜；

步骤4，将导线架放入裂片夹具内进行分片作业，切成单颗透镜。

其中，所述基板与多边形碗杯之间通过连接层固定连接，且所述两个功能区的表面通过磁控溅射的方式金属化后电镀后金属镀层。

其中，所述步骤1中，当UV芯片本体以正装的方式键合时，所述UV芯片本体的底部通过粘结剂键结在两个功能区上的金属镀层及隔离板上，所述UV芯片本体的顶部正电极通过金属键合丝与一个功能区的金属镀层连接，且所述UV芯片本体的顶部负电极通过金属键合丝与另一个功能区的金属镀层连接；当UV芯片以倒装的方式键合时，所述UV芯片本体的正极通过锡膏与一个功能区上的金属镀层键结，所述UV芯片本体的负极通过锡膏与另一个功能区上的金属镀层键结，且所述UV芯片本体的正极与负极之间通过隔离板隔离。

本发明的有益效果是：

与现有技术相比，本发明的UV芯片封装结构及其封装方法，通过隔离板设置在两个功能区之间，UV芯片本体的正电极与一个功能区键合，且UV芯片本体的负电极与另一个功能区键合后，隔离板有效间隔UV芯片本体的正电极和负电极，避免短路，使得热电分离，有效降低光衰，且增加了封装产品的可靠性；填充UV填充胶且固化成型为透镜后，完成该封装结构；多边形使得碗杯体积较小，有利于增加碗杯深度，有效减少光线损失，增加了发光效率。

附图说明