[发明专利]一种阵列基板及显示装置在审

专利信息
申请号: 201710002321.9 申请日: 2017-01-03
公开(公告)号: CN106773413A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 安立扬 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示装置
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及液晶显示领域,特别涉及一种阵列基板及显示装置。

【背景技术】

液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板(TFT-LCD)及背光模组(backlight module)。就目前主流市场上的LCD显示面板而言,VA型液晶显示面板相比其他种类的液晶显示面板具有极高的对比度,在大尺寸显示,如电视等方面具有非常广的应用。但由于VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶,液晶分子双折射率的差异比较大,导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重,使得VA型液晶显示面板从不同角度看到的亮度差异较大,造成画面失真。

因为液晶显示的内在因素,VA显示器在不同位置观察到的图像始终有些差异。这导致正视情况下看起来正常的图片大视角观看时显示异常,这种异常主要体现在颜色上,也就是大视角色偏。为了改善VA显示器的大视角色偏,一般采取图2所示的设计,将整个显示单元分为main-pixel(主像素)与sub-pixel(次像素),分别由两个TFT器件单独控制。两个TFT由同一条gate line(栅极线)控制,gate打开时data line(数据线)对main-pixel与sub-pixel进行充电,main-pixel的电位保持为data line给的信号,sub-pixel的电压由几部分同时决定,公式表述如下:

调节不同的Cx值,可以定向的控制Vsub的电压,使得main-pixel与sub-pixel存在一定的电压差。这样在同一灰阶下液晶分子有两种排列方向,在大视角观看时可以起到视角补偿的作用,以实现改善大视角的目的。但是该设计的改善效果受到限制,在中低灰阶依然存在较大色偏现象。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种阵列基板及显示装置,以解决现有技术中,VA型液晶显示面板采用垂直转动的液晶,液晶分子双折射率的差异比较大,导致大视角下的色偏问题比较严重,使得VA型液晶显示面板从不同角度看到的亮度差异较大,造成画面失真的问题。

本发明的技术方案如下:

一种阵列基板,包括:多条栅极线、多条数据线及由所述多条栅极线与所述多条数据线交叉形成的多个像素单元,每个所述像素单元包括水平方向依次排列的主像素区、第一子像素区及第二子像素区;

设N为正整数,一个所述像素单元分别与第N条和第N+1条所述栅极线连接,当第N条所述栅极线开启,所述数据线对所述主像素区、所述第一子像素区及所述第二子像素区进行充电,当第N+1条所述栅极线开启,所述主像素区、所述第一子像素区及所述第二子像素区的内部可发生电容耦合作用,使得所述主像素区、所述第一子像素区及所述第二子像素区的电位互不相同。

优选地,所述主像素区包括第一薄膜晶体管,所述第一子像素区包括第二薄膜晶体管,所述第二子像素区包括第三薄膜晶体管,且所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管的栅极均连接且只连接第N条所述栅极线。

优选地,所述第二子像素区还包括第四薄膜晶体管,所述第四薄膜晶体管的栅极连接且只连接第N+1条所述栅极线。

优选地,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管的源极均与同一条所述数据线连接,所述第一薄膜晶体管的漏极分别连接有第一液晶电容与第一存储电容,所述第二薄膜晶体管的漏极分别连接有第二液晶电容与第二存储电容,所述第三薄膜晶体管的漏极分别连接有第三液晶电容与第三存储电容。

优选地,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的漏极之间设有第二电容,所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第三薄膜晶体管的漏极之间设有第一电容,所述第四薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。

优选地,当第N条所述栅极线开启,所述数据线对所述第一液晶电容、所述第一存储电容、所述第二液晶电容、所述第二存储电容、所述第三液晶电容、所述第三存储电容、所述第一电容及所述第二电容进行充电,当第N+1条所述栅极线开启,所述第一电容与所述第二存储电容和所述第二液晶电容发生电容耦合作用,所述第二电容与所述第一存储电容和所述第一液晶电容发生电容耦合作用,使得所述主像素区、所述第一子像素区及所述第二子像素区的电位互不相同。

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