[发明专利]用于监视处理室的设备

说明书

本发明可提供一种用于监视处理室的内部的设备，所述设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年1月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0009899的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及用于监视处理室的设备。

背景技术

在用于制造半导体组件或者LCD组件的等离子体蚀刻设备中，执行利用RF功率的等离子体蚀刻工艺。具体地说，在晶圆制造工艺中，使用氧化硅膜来形成层间绝缘膜，使用掺有杂质的多晶硅来形成电容器，并且使用利用等离子体的干法蚀刻工艺来执行氧化硅膜或多晶硅层的图案化。

作为干法蚀刻工艺，有一种使用高密度等离子体(HDP)源系统的变压器耦合等离子体(TCP)蚀刻方法。在利用TCP蚀刻方法的TCP蚀刻设备中，在室内部的底部上安装晶圆，在室的一侧上安装用于将处理气体注射至室中的处理气体注射管，并且当将处理气体注射至室中并同时产生RF功率时，在室的内部产生等离子体以蚀刻晶圆的顶表面。

发明内容

本发明构思的一方面提供了一种用于监视处理室的设备，以按照非穿透监视方式检查处理存在还是不存在异常，同时不影响处理的执行。

本发明构思的另一方面提供了一种用于监视处理室的设备，其能够监视处理室的中心部分和处理室的外部分二者。

本发明构思的又一方面提供了一种用于监视处理室的设备，以监视在处理室的晶圆表面水平的处理物质的分布程度。

然而，本发明构思的各方面不限于本文阐述的这些。通过参照下面提供的本发明构思的具体说明，本发明构思的以上和未提及的其它方面对于本发明构思所属领域的普通技术人员之一将变得更加清楚。

根据本发明构思的示例实施例，一种用于监视处理室的内部的设备包括：处理室，其包括室主体和限定在室主体中的观察口；盖部分，其在一端包括针孔，所述盖部分布置为对应于观察口的端部，所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度；以及感测单元，其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部，基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。

根据本发明构思的示例实施例，一种用于监视处理室的内部的设备包括：处理室，其包括室主体，所述室主体包括限定在其中的第一观察口和第二观察口；第一盖部分，其包括第一针孔，第一盖部分布置为对应于第一观察口的端部；第一感测单元，其插入第一观察口中，以通过第一针孔监视处理室的内部中的第一感测区；第二盖部分，其包括第二针孔，第二盖部分布置为对应于第二观察口的端部；以及第二感测单元，其插入第二观察口中，以通过第二针孔监视处理室的内部中的第二感测区，第二感测区与第一感测区不同。

根据本发明构思的示例实施例，一种用于监视处理室的内部的设备包括：处理室，其包括限定在其中的容纳空间；一个或多个图像拾取单元，它们各自构造为监视容纳空间中的处理物质的分布状态，所述一个或多个图像拾取单元各自构造为通过调整其焦距改变处理室中的监视区；以及一个或多个处理器，它们构造为通过利用来自所述一个或多个图像拾取单元的监视结果执行一个或多个算术操作来获得容纳空间的底表面上的处理物质的密度分布。