[发明专利]用于监视处理室的设备有效
申请号: | 201710001539.2 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN107017176B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 普罗托波波夫·弗拉基米尔;黄基镐;成德镛;吴世真;印杰;张圣虎;全允珖 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 监视 处理 设备 | ||
1.一种用于监视处理室的内部的设备,所述设备包括:
处理室,其包括室主体和限定在室主体中的观察口;
盖部分,其在一端包括针孔,所述盖部分布置为对应于观察口的一个端部,所述观察口的所述一个端部邻近于所述室主体的内壁,所述盖部分在朝着处理室的中心的方向上具有第一长度;以及
感测单元,其插入观察口中以通过针孔监视处理室的内部,基于所述第一长度来确定处理室中将通过感测单元感测的区。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,感测单元的感测角度为arc tan(a/b)/π×180×2°,
其中a表示布置在处理室中的晶圆的半径,并且b表示从处理室的中心至针孔的距离。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,针孔与感测单元的面对针孔的端部之间的距离D为(b×L)/(a×2),其中L表示感测单元的宽度。
4.根据权利要求1所述的设备,还包括:
衬底支承件,其位于处理室中,并且构造为支承衬底,
其中,感测单元构造为监视在衬底的表面水平的处理状态。
5.根据权利要求4所述的设备,还包括:
算术操作单元,其构造为对感测单元所监视的处理室的处理状态执行变换操作,以获得在衬底的表面水平的处理状态。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,算术操作单元构造为利用Abel变换执行变换操作。
7.根据权利要求1所述的设备,还包括:
主体,其插入观察口中,并且面对盖部分中的针孔,
其中,主体构造为容纳感测单元。
8.根据权利要求7所述的设备,其中,观察口的端部具有圆柱形形状。
9.根据权利要求8所述的设备,其中,主体包括,
结合部分,其被插入观察口中,
固定部分,其以可去除的方式支承感测单元,以及
插入部分,其结合至盖部分。
10.根据权利要求1所述的设备,其中,
当盖部分的长度为第一长度时,感测单元构造为监视第一区,并且
当盖部分的长度为与第一长度不同的第二长度时,感测单元构造为监视与第一区不同的第二区。
11.根据权利要求1所述的设备,还包括:
位于室主体内的衬垫。
12.根据权利要求11所述的设备,其中,盖部分突出至衬垫的内壁以外。
13.一种用于监视处理室的内部的设备,所述设备包括:
处理室,其包括室主体,所述室主体包括限定在其中的第一观察口和第二观察口;
第一盖部分,其包括第一针孔,第一盖部分布置为对应于第一观察口的一个端部,所述第一观察口的所述一个端部邻近于所述室主体的内壁;
第一感测单元,其插入第一观察口中,以通过第一针孔监视处理室的内部中的第一感测区;
第二盖部分,其包括第二针孔,第二盖部分布置为对应于第二观察口的一个端部,所述第二观察口的所述一个端部邻近于所述室主体的内壁;以及
第二感测单元,其插入第二观察口中,以通过第二针孔监视处理室的内部中的第二感测区,第二感测区与第一感测区不同。
14.根据权利要求13所述的设备,还包括:
衬底支承件,其位于处理室中,并且构造为支承衬底,
其中,第一感测单元和第二感测单元构造为监视在衬底的表面水平的第一感测区和第二感测区,以分别获得第一结果和第二结果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造