[发明专利]利用变角度曝光制备复合周期的多级结构的方法及应用有效
申请号: | 201710000471.6 | 申请日: | 2017-01-03 |
公开(公告)号: | CN106773545B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 孙洪波;王磊;陈岐岱 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人: | 刘世纯 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 角度 曝光 制备 复合 周期 多级 结构 方法 应用 | ||
技术领域
本发明属于激光加工技术领域,具体涉及利用双光束干涉制备具有复合周期的微米-纳米跨尺度多级结构,通过在制备过程中改变双光束干涉的曝光角来同时获得复合周期和多级微纳结构,以实现对结构色仿生和表面浸润性调控的应用。
技术背景
在微纳加工领域,多级结构一般指由不同尺度大小的微米、纳米结构复合而成的层级式结构。多级结构的功能性主要依赖于层级间的尺度差异,即不同级别的结构之间,尺度相差越大功能性越突出;据此,此类结构一般具有比表面积大、对光散射能力强、光场聚焦效果好等综合优势。多级结构在微纳器件方面有广泛且重要的应用,包括太阳能电池、浸润性响应智能表面、纳米光子器件等。
目前,多级结构的制备通常采用“自下而上”微纳加工方法,即按照结构尺度由大到小进行分层叠加式加工。而且,根据每一级的尺度和结构的不同往往需要结合多种加工手段,包括光刻、电子束刻蚀、离子束刻蚀以及多种合成纳米结构(纳米棒、纳米金字塔、纳米树等)的化学自组装等方法。上述制备多级结构的现有技术普遍步骤繁琐且产率低,而且对于层级间的尺度差异的调控很有限。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明要解决的技术问题是:提供一种利用变角度曝光制备复合周期的多级结构的方法。采用双光束干涉技术进行曝光,其主要原理是通过将光源激光进行分束,并使分束后的两束光在光刻胶表面相遇干涉并曝光,获得的结构具有衍射图样的周期性。这样制备的结构尺度与结构周期一致,由两束光的夹角(即曝光角)所决定,且具有很大的尺度调控范围(微米到纳米量级)。本发明通过改变双光束干涉加工中的曝光角对同一样品进行依次曝光,可获得具有复合周期的微米-纳米跨尺度多级结构,结构级别从大到小依次为第1、第2、……、第N级,对应每级结构周期依次为Λ1、Λ2、……、ΛN(N为整数,2≤N≤3)。
本发明通过如下技术方案实现:
一种利用变角度曝光制备复合周期的多级结构的方法,具体步骤如下:
(1)、激光光路搭建与调试;
首先,依据半反半透镜结合反射镜的分光方式搭建双光束干涉光路,使激光历经“扩束-等光程分束-聚焦干涉”的光路,并确保沿光路激光经过每个镜子的中心位置;然后,对光路进行调试,依次调节半反半透镜和反射镜的高度和与水平、竖直两个方向的夹角,直至分束后的两束光同时处于水平面内,且沿光屏法线左右对称入射至光屏,即令两束光入射角完全相等;
(2)、光刻胶准备;
首先,将衬底依次置于丙酮、乙醇和去离子水中进行超声清洗,所用时间为10-30min,并用氮气吹干待用;然后,将光刻胶旋涂至衬底,所用转速为1000-5000r/min,所用匀胶时间为10-20s,所得光刻胶平膜厚度为10-50μm;最后,将光刻胶平膜置于烘箱中进行前烘,所用温度为95-120℃,所用时间为30-120s;
(3)、变角度曝光制备多级结构;包括决定曝光角和按结构级别依次曝光;
首先,依据所需多级结构的第1级周期Λ1和半反半透镜与光屏之间的距离Y,决定双光束干涉加工的曝光角2θ1和对应的两个反光镜M1和M2的位置坐标X1和X2(以半反半透镜中心为原点),并将两反光镜移动至相应位置;然后,用磁铁块将步骤(2)准备的光刻胶平膜固定在光屏中央,并调节光屏前后位置使两束光聚焦在光刻胶平膜上表面,且两束光光点会聚在平膜样品中心位置;随后,调节光阑使两束重叠的光斑扩至最大,并将激光锁模,对样品进行曝光;接着,依据具体的结构将样品在光屏上(竖直平面内)转过一个角度φ,同时按照所需多级结构的第2至第N级周期(Λ2-ΛN)分别决定对应的曝光角和二反光镜位置坐标,其中,N为整数,2≤N≤3,并作相应调节,依次对样品完成每级结构的曝光;最后,将曝光完毕的光刻胶平膜置于光刻胶专用显影液中进行显影,所用显影时间为2s-5min,最终获得所需具有复合周期的多级结构。
进一步地,步骤(1)所述双光束干涉光路的光源为连续激光或脉冲激光,波长范围为紫外波段的266-355nm。
进一步地,步骤(2)所述的衬底为盖玻片或硅片,所用光刻胶为BP212或SU-8紫外光刻胶。
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