[其他]化学机械式研磨装置

说明书

本实用新型涉及化学机械式研磨装置，化学机械式研磨装置包括：多个研磨盘，其上表面配备有研磨垫；研磨盘移送部，其使多个研磨盘按照预先确定的工序顺序，移动到互不相同的工序位置，可以在互不相同的工序位置执行互不相同的工序。

技术领域

本实用新型涉及化学机械式研磨装置，更具体而言，涉及一种可以利用多个研磨盘在互不相同的工序位置执行互不相同的工序的化学机械式研磨装置。

背景技术

半导体元件由细微的电路线以高密度集成而制造，因此，在晶片表面进行与此相应的精密研磨。为了更精密地进行晶片的研磨，如图1及图2所示，进行不仅是机械式研磨而且并行进行化学式研磨的化学机械式研磨工序 (CMP工序)。

即，在研磨盘10的上表面，对晶片W加压并相接的研磨垫11安装得与研磨盘10一同旋转11d，为了化学式研磨，一面通过供应单元30的浆料供应口32供应浆料，一面对晶片W进行基于摩擦的机械式研磨。此时，晶片W 在借助于承载头20而确定的位置进行旋转20d，进行精密地平坦化的研磨工序。

所述调节器40在向以附图标记40d标识的方向旋转的同时，其臂41向以41d表示的方向进行回旋运动，借助于所述调节器40，涂布于研磨垫11表面的浆料可以在研磨垫11上均匀展开并流入晶片W，研磨垫11可以借助于调节器40的机械式修整工序而保持既定的研磨面。

但是，以往借助于承载头的化学机械式研磨工序、借助于调节器的研磨垫的表面重整工序及研磨垫的清洗工序，均构成得以一个研磨垫为对象执行，因而难以使基板的研磨效率实现最大化，存在难以迅速、准确实现工序转换的问题。

特别是为了提高研磨均匀均匀度及研磨率的稳定性，研磨垫的表面应能够以最佳条件充分重整，但以往，在一个研磨垫上一同进行化学机械式研磨工序及研磨垫的表面重整工序，因而存在难以以最佳条件重整研磨垫的表面的问题。

另外，以往是以一个研磨垫为对象执行各工序，因而在研磨垫的清洗工序(和/或重整工序)中，化学机械式研磨工序不可避免地需要中断，因而存在生产率低下、作业效率低下的问题。特别是当连续执行对多张晶圆的处理工序时，存在发生研磨垫的各工序转换所需的时间损耗的问题。

为此，最近进行了旨在提高工序效率、提高研磨效率的多种研究，但还远远不够，要求对此进行开发。

实用新型内容

所要解决的技术问题

本实用新型目的是提供一种能够提高工序效率、提高研磨效率的化学机械式研磨装置及其控制方法。

特别是本实用新型目的是提供一种能够利用多个研磨盘在互不相同的工序位置执行互不相同的工序的化学机械式研磨装置及其控制方法。

另外本实用新型提供一种能够提高稳定性及可靠性、能够提高生产率的化学机械式研磨装置及其控制方法.

另外本实用新型目的是提供一种能够优化研磨垫的表面重整特性、提高基板的研磨品质的化学机械式研磨装置及其控制方法。

解决技术问题的方案

根据旨在达成所述本实用新型目的的本实用新型的优选实施例，化学机械式研磨装置包括：多个研磨盘，其在上表面具备研磨垫；研磨盘移送部，其使多个研磨盘按照预先确定的工序顺序，移动到互不相同的工序位置，可以在互不相同的工序位置执行互不相同的工序。

作为参考，在本实用新型中，所谓基板，可以理解为能够利用承载头而在研磨垫上研磨的研磨对象物，本实用新型并非由基板的种类及特性所限制或限定。作为一个示例，作为基板，可以使用晶片。