[其他]化学机械式研磨装置有效
申请号: | 201690001374.8 | 申请日: | 2016-08-08 |
公开(公告)号: | CN208173551U | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 朴奎南 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机械式研磨 研磨盘 工序位置 本实用新型 工序顺序 预先确定 上表面 研磨垫 配备 移动 | ||
1.一种化学机械式研磨装置,其特征在于,包括:
多个研磨盘,其上表面具备研磨垫;
研磨盘移送部,其使所述多个研磨盘按照预先确定的工序顺序移动到互不相同的工序位置。
2.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述研磨盘移送部使所述多个研磨盘从预先设置的基准工序位置移动到至少一个周边工序位置。
3.根据权利要求2所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述研磨盘包括配置于所述基准工序位置或所述周边工序位置的第一研磨盘及第二研磨盘,
所述研磨垫包括配备于所述第一研磨盘的上表面的第一研磨垫及配备于所述第二研磨盘的上表面的第二研磨垫。
4.根据权利要求3所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,包括:
承载头,其位于所述基准工序位置,将所述基板加压于所述第一研磨垫或所述第二研磨垫;
调节器,其位于所述周边工序位置,重整所述第一研磨垫或所述第二研磨垫的表面。
5.根据权利要求4所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
还包括配置于所述基准工序位置或所述周边工序位置的第三研磨盘及配备于所述第三研磨盘的上表面的第三研磨垫。
6.根据权利要求5所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
在所述周边工序位置,执行清洗所述第一研磨垫至所述第三研磨垫中任意一个表面的清洗工序。
7.根据权利要求6所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
包括清洗单元,其位于所述周边工序位置,清洗所述第一研磨垫至所述第三研磨垫中任意一个的表面。
8.根据权利要求6所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
在所述第一研磨盘至所述第三研磨盘上,分别设置有用于重整所述第一研磨垫至所述第三研磨垫的表面的调节器,
所述调节器与所述第一研磨盘至所述第三研磨盘一同移动到所述基准工序位置或所述周边工序位置。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述研磨盘移送部使所述多个研磨盘轮流移动到所述互不相同的工序位置。
10.根据权利要求9所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述多个研磨盘配置于同一圆周上,
所述研磨盘移送部使所述多个研磨盘旋转,以轮流移动到所述互不相同的工序位置。
11.根据权利要求10所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述研磨盘移送部包括:
连接构件,其连接于所述多个研磨盘;
驱动部,其提供用于使所述连接构件旋转的驱动力。
12.根据权利要求11所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,包括:
感测部,其感测所述多个研磨盘的旋转位置;
控制部,其根据所述感测部感测的结果来控制所述驱动部。
13.根据权利要求10所述的化学机械式研磨装置,其特征在于,
所述研磨盘移送部使所述多个研磨盘沿着预先确定的路径直线移动,以轮流移动到互不相同的工序位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造