[其他]红外线温度传感器以及使用红外线温度传感器的装置

权利要求书

1.一种红外线温度传感器，其特征在于包括：

导热性的本体，具备导光部与遮蔽部，且至少导光部经黑体化，所述导光部具有开口部，所述开口部的至少最短部的尺寸为1mm～6mm且引导红外线；所述遮蔽部具有遮蔽壁，以遮蔽红外线；

基板，被保持于所述本体，且形成有配线图案；

红外线探测用热敏元件，配置在所述基板上，且配设在与所述导光部对应的位置；以及

温度补偿用热敏元件，在所述基板上，与所述红外线探测用热敏元件隔开地配置，且配设在与所述遮蔽部对应的位置。

2.根据权利要求1所述的红外线温度传感器，其特征在于，

所述经黑体化的本体的辐射率为0.8以上。

3.根据权利要求1或2所述的红外线温度传感器，其特征在于，

所述本体为金属制，所述黑体化是通过氧化处理来进行，通过氧化处理而形成的氧化膜的膜厚尺寸为10μm以下。

4.根据权利要求1或2所述的红外线温度传感器，其特征在于，

所述开口部的至少最短部的尺寸精度为±0.05mm以下。

5.根据权利要求1或2所述的红外线温度传感器，其特征在于，

所述导光部与遮蔽部是形成为以导光部与遮蔽部的边界为中心而大致对称的形态。

6.根据权利要求1或2所述的红外线温度传感器，其特征在于，

在所述基板上，形成有用于连接红外线探测用热敏元件及温度补偿用热敏元件的配线图案，连接红外线探测用热敏元件的配线图案与连接温度补偿用热敏元件的配线图案为同一图案的形态。

7.根据权利要求1或2所述的红外线温度传感器，其特征在于，

所述开口部未从所述本体的表面突出，并且所述本体具有10W/m·K以上的导热率。

8.根据权利要求1或2所述的红外线温度传感器，其特征在于，

与所述基板相向地配置有盖构件。

9.根据权利要求8所述的红外线温度传感器，其特征在于，

所述盖构件的内表面的至少与基板相向的一部分面成为反射面。

10.根据权利要求1或2所述的红外线温度传感器，其特征在于，

在所述基板上，形成有与所述红外线探测用热敏元件及所述温度补偿用热敏元件连接的配线图案，且包括安装用端子，所述安装用端子连接于所述配线图案，并且形成在所述基板上的端部侧。

11.一种使用红外线温度传感器的装置，其特征在于包括根据权利要求1至10中任一项所述的红外线温度传感器。