[发明专利]带有具有用于扇出缩放的柱和过孔连接的高密度互连层的封装衬底

权利要求书

1.一种集成电路封装，包括：

具有第一侧和第二侧的高密度互连层；

形成于所述高密度互连层的所述第一侧上的柱；

形成于所述高密度互连层的所述第二侧上的过孔；

第一管芯；以及

封装衬底。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述第一管芯电耦合到所述柱。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述封装衬底电耦合到所述过孔。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的集成电路封装，还包括：

在形成于所述封装衬底上的腔。

5.根据权利要求4所述的集成电路封装，还包括：

在形成于所述封装衬底上的所述腔中的第二管芯，其中，所述第二管芯导电连接到所述封装衬底。

6.根据权利要求5所述的集成电路封装，还包括：

形成于所述封装衬底上的所述腔中的第三管芯，其中，所述第三管芯导电连接到所述第二管芯。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述高密度互连层的I/O在100-1000I/O/mm/层之间。

8.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述封装衬底的I/O在15-60I/O/mm/层之间。

9.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，多个柱形成在所述高密度互连层的所述第一侧上，并且其中，所述柱的凸块间距在10μm-80μm之间。

10.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述封装衬底的背侧上的凸块间距在200μm-1000μm之间。

11.根据权利要求1所述的集成电路封装，其中，所述高密度互连层上的焊盘尺寸在1μm-24μm之间。

12.一种形成集成电路封装的方法，所述方法包括：

在载体上沉积第一金属层；

在所述第一金属层之上沉积第二金属层；

在所述第二金属层之上形成高密度互连层；

在所述高密度互连层上形成柱；

在所述高密度互连层上形成过孔；

形成封装衬底；

从所述载体去除所述衬底；

蚀刻所述第一金属层和所述第二金属层以暴露所述柱；以及

对所述封装衬底的顶表面和底表面进行修整。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

将管芯附接到所述有源侧，其中，所述管芯被电耦合到所述高密度互连层上的所述柱。

14.根据权利要求12-13中任一项所述的方法，其中，形成所述封装衬底还包括：

在所述封装衬底中形成过孔；

对所述过孔的顶表面进行平面化；

在所述过孔的顶表面上沉积蚀刻停止材料；

继续构建工艺以形成腔；以及

打开所述腔。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：

在所述腔中附接第一管芯，其中，所述第一管芯导电连接到所述封装衬底。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

在所述腔中附接第二管芯，其中，所述第二管芯导电连接到所述第一管芯。

17.根据权利要求12所述的方法，其中，形成高密度互连层还包括：沉积并图案化第一光致抗蚀剂层以形成用于导电线的开口；以及在所述开口中镀敷金属以形成导电线。