[发明专利]对半导体基板进行湿处理的装置和方法有效
申请号: | 201680090186.1 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN109891564B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 王晖;王希;程成;吴均 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B05C5/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对半 导体 进行 处理 装置 方法 | ||
本发明揭示了一种对半导体基板进行湿处理的装置和方法。装置包括:工艺腔室(1005)、设置在工艺腔室内保持半导体基板(1001)的卡盘(1002)、驱动卡盘旋转的旋转驱动器(1004)、包围工艺腔室的腔室护罩(1006)、至少一个竖直驱动器驱动腔室护罩上下移动、保护罩(1007)、至少一个驱动装置(1008)驱动保护罩向下遮盖或向上举起、至少一个分配器组件(1014),具有向半导体基板表面喷射液体的分配器(1030)。当保护罩向下遮盖工艺腔室时,腔室护罩向上移动与保护罩配合,密封工艺腔室,防止液体飞溅出工艺腔室。
技术领域
本发明涉及一种对半导体基板进行湿处理的装置和方法,利用高压分配器组件喷射高压液体到半导体基板上。
背景技术
在半导体器件制造过程中,高压液体,例如化学液或去离子水等,被喷射到半导体基板上以进行湿处理,如清洗,刻蚀,光阻剥离,金属剥离等。当高压液体以高达80-3000psi的压力喷射到半导体基板上时,高压液体通常会产生严重的液体飞溅和液体喷雾。飞溅的化学液或去离子水会带来腐蚀和污染的问题,以及损坏半导体基板加工腔室附近零部件的功能。飞溅的化学液或去离子水也会影响后续的处理半导体基板的湿处理步骤和干燥步骤。
发明内容
因此,本发明的主旨是提供一种高压液体被均匀喷射到半导体基板上时,防止高压液体飞溅出工艺腔室的装置和方法。
在本发明的一个实施方案中,提出的对半导体基板进行湿处理的装置,包括工艺腔室、设置在工艺腔室内保持半导体基板的卡盘、驱动卡盘旋转的旋转驱动器、包围工艺腔室的腔室护罩、至少一个驱动腔室护罩上下移动的竖直驱动器、保护罩、至少一个使保护罩向下遮盖或向上举起的驱动装置、至少一个安装在保护罩上的高压分配器组件,该高压分配器组件具有一个将高压液体喷射到半导体基板表面上的高压分配器。当保护罩向下遮盖工艺腔室时,腔室护罩向上移动与保护罩配合,密封工艺腔室,防止高压液体飞溅出工艺腔室。
在本发明的一个实施方案中,提出的对半导体基板进行湿处理的方法,包括:
向下移动腔室护罩,将半导体基板放置在卡盘上,向上移动腔室护罩,使半导体基板旋转;
使摆动喷嘴旋转进入工艺腔室向半导体基板表面喷洒清洗化学液或去离子水;
停止向半导体基板表面喷洒清洗化学液或去离子水,使摆动喷嘴旋转离开工艺腔室,然后向下移动腔室护罩;
使保护罩向下遮盖工艺腔室;
向上移动腔室护罩使其与保护罩配合密封工艺腔室,然后向半导体基板表面喷射高压化学液或去离子水;
停止向半导体基板表面喷射高压化学液或去离子水,然后向下移动腔室护罩;
使保护罩向上举起;
向上移动腔室护罩,然后使摆动喷嘴旋转进入工艺腔室向半导体基板的表面喷洒清洗化学液或去离子水;
干燥半导体基板;
使摆动喷嘴旋转离开工艺腔室,停止旋转半导体基板,向下移动腔室护罩,然后从卡盘上取走半导体基板。
附图说明
图1揭示了本发明对半导体基板进行湿处理的装置的侧视图,其中,保护罩向下遮盖密封工艺腔室。
图2揭示了图1所示装置的顶视图。
图3揭示了保护罩向上举起的侧视图。
图4揭示了图3所示装置的顶视图。
图5揭示了根据本发明一个实施例的高压分配器组件的侧视图。
图6揭示了根据本发明又一个实施例的高压分配器组件的侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造