[发明专利]对半导体基板进行湿处理的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201680090186.1 申请日: 2016-10-25
公开(公告)号: CN109891564B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 王晖;王希;程成;吴均 申请(专利权)人: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;B05C5/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆嘉
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 对半 导体 进行 处理 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种对半导体基板进行湿处理的装置,其特征在于,包括:

工艺腔室;

卡盘,设置在工艺腔室内,保持半导体基板;

旋转驱动器,驱动卡盘旋转;

腔室护罩,包围工艺腔室;

至少一个竖直驱动器,驱动腔室护罩上下移动;

保护罩;

至少一个驱动装置,驱动保护罩向下遮盖或向上举起;

至少一个分配器组件,包括向半导体基板表面喷射液体的分配器;

其中,当保护罩向下遮盖工艺腔室时,腔室护罩向上移动与保护罩配合,密封工艺腔室,防止液体飞溅出工艺腔室,所述保护罩上设置有至少一个排液孔,当保护罩向上翻转举起至竖立状态时,排液孔位于所述保护罩的底部,保护罩上的液体通过至少一个排液孔排出。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述分配器组件包括线性致动器,该线性致动器控制分配器的扫描运动。

3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述保护罩固定在横梁上,横梁的两端连接两个臂,该两个臂由一对驱动装置驱动,使保护罩向下遮盖或向上举起。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括排液托盘,引导从排液孔排出的液体顺流而下。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述保护罩上设置有至少一个清洗喷嘴,向保护罩的内表面喷洒清洗液,清洗保护罩。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述清洗喷嘴呈一定角度安装,防止清洗液喷射到腔室护罩的内部。

7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述清洗喷嘴的喷洒持续时间以及保护罩的清洗触发条件是可编程控制的。

8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述保护罩的顶部截面呈斜坡状或弧状。

9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括至少一个摆动喷嘴,设置在工艺腔室的旁边,向半导体基板的表面喷化学液或去离子水或干燥气体。

10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,进一步包括旋转致动器,驱动摆动喷嘴旋转。

11.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,当保护罩向下遮盖或向上举起时,腔室护罩位于工艺腔室的下方位置。

12.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述分配器安装在安装座上,该安装座固定在摆臂的一端,线性致动器驱动摆臂绕轴旋转,从θ1旋转至θ2,当旋转驱动器驱动卡盘旋转时,在摆臂从θ1转动至θ2的过程中,从半导体基板的中心至边缘,液体被均匀地喷射到半导体基板表面。

13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,半导体基板表面与分配器之间的距离“d”通过调节摆臂的长度而被调节。

14.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述分配器安装在安装座上,该安装座固定在杆的一端,线性致动器驱动杆沿轴移动,从L1移动到L2,当旋转驱动器驱动卡盘旋转时,在杆沿轴从L1移动到L2的过程中,从半导体基板的中心至边缘,液体被均匀地喷射到半导体基板表面。

15.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,分配器与半导体基板表面之间的距离“d”通过调节杆的长度而被调节。

16.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,通过分配器喷射到半导体基板表面的液体压力控制在10psi-5000psi。

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