[发明专利]场效应晶体管制造方法及场效应晶体管

说明书

提供一种场效应晶体管制造方法及场效应晶体管。该方法包括：获取目标基底、位于目标基底上的二维材料层及位于二维材料层上的源漏金属层(S201)，在源漏金属层上形成第一掩膜层，并以第一掩膜层做掩膜定义二维材料层的形状，形成剩余的第一掩膜层的区域(S202)，去除位于剩余的第一掩膜层的区域之外的源漏金属层及位于剩余的第一掩膜层的区域之外的二维材料层(S203)，去除剩余的第一掩膜层，形成定义的二维材料层及定义的源漏金属层(S204)，在定义的源漏金属层上形成第二掩膜层，并以第二掩膜层做掩膜定义沟道区域(S205)，去除位于沟道区域内的源漏金属层，形成源极、漏极和沟道区域(S206)，去除剩余的第二掩膜层，形成FET(S207)，从而，提升了FET的性能。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路制造技术，尤其涉及一种场效应晶体管(FieldEffect Transistor；简称：FET)制造方法及场效应晶体管。

背景技术

随着半导体技术的发展，以石墨烯为代表的二维材料因具有优异的电子学、光电子学及热学性能等在FET制造中得到了广泛的应用。

现有技术中，在制造FET的过程中，先在源基底上生长二维材料，形成二维材料层，再在该二维材料层上涂覆支撑物，例如，聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate；简称：PMMA)，形成支撑物层，以实现支撑二维材料层转移至目标基底上。之后，将二维材料层及支撑物层转移至目标基底上，再去除支撑物层，则目标基底上只留二维材料层。图1A为现有技术中将转移至目标基底上的二维材料层图案化的示意图。如图1A所示，将转移至目标基底11上的二维材料层12图案化。图1B为现有技术中在图案化后的二维材料层上旋涂光刻胶的示意图。如图1B所示，在图案化后的二维材料层12上旋涂光刻胶13。图1C为现有技术中曝光定义源漏区域的示意图。如图1C所示，曝光定义源漏区域14。图1D为现有技术中蒸镀源漏金属并进行剥离的示意图。如图1D所示，在曝光定义源漏区域之后，进行蒸镀源漏金属的步骤，形成源极15和漏极16，最后，将光刻胶进行剥离，完成FET的制造。

但是，上述过程中，在实现将二维材料层转移至目标基底的过程中，需要涂覆支撑物，将二维材料层及支撑物层转移至目标基底上后，再去除支撑物层，可以理解的是，支撑物还是会有一部分残留在二维材料层上，另外，在旋涂光刻胶曝光定义源漏区域的步骤中，光刻胶也会有一部分残留在源漏区域中，从而，导致在后续的步骤中，蒸镀源漏金属，形成源极和漏极时，源极与二维材料层之间以及漏极与二维材料层之间会存在支撑物和光刻胶，从而，导致源极与二维材料层之间以及漏极与二维材料层之间的接触电阻较大，FET的性能较差。

发明内容

本发明实施例提供一种场效应晶体管制造方法及场效应晶体管，以提高FET的性能。

第一方面，本发明实施例提供一种场效应晶体管制造方法，包括：

获取目标基底、位于所述目标基底上的二维材料层及位于所述二维材料层上的源漏金属层；

在所述源漏金属层上形成第一掩膜层，并以所述第一掩膜层做掩膜定义所述二维材料层的形状，形成剩余的第一掩膜层的区域；

去除位于所述剩余的第一掩膜层的区域之外的源漏金属层及位于所述剩余的第一掩膜层的区域之外的二维材料层；

去除所述剩余的第一掩膜层，形成定义的二维材料层及定义的源漏金属层；

在所述定义的源漏金属层上形成第二掩膜层，并以所述第二掩膜层做掩膜定义沟道区域；

去除位于所述沟道区域内的源漏金属层，形成源极、漏极和沟道区域；

去除剩余的第二掩膜层，形成场效应晶体管。

在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述获取目标基底、位于所述目标基底上的二维材料层及位于所述二维材料层上的源漏金属层，包括：

在源基底上生长所述二维材料层；