[发明专利]场效应晶体管制造方法及场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：

获取目标基底、位于所述目标基底上的二维材料层及位于所述二维材料层上的源漏金属层；

在所述源漏金属层上形成第一掩膜层，并以所述第一掩膜层做掩膜定义所述二维材料层的形状，形成剩余的第一掩膜层的区域；

去除位于所述剩余的第一掩膜层的区域之外的源漏金属层及位于所述剩余的第一掩膜层的区域之外的二维材料层；

去除所述剩余的第一掩膜层，形成定义的二维材料层及定义的源漏金属层；

在所述定义的源漏金属层上形成第二掩膜层，并以所述第二掩膜层做掩膜定义沟道区域；

去除位于所述沟道区域内的源漏金属层，形成源极、漏极和沟道区域；

去除剩余的第二掩膜层，形成场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取目标基底、位于所述目标基底上的二维材料层及位于所述二维材料层上的源漏金属层，包括：

在源基底上生长所述二维材料层；

在所述二维材料层上形成所述源漏金属层；

将所述二维材料层和位于所述二维材料层上的所述源漏金属层转移至所述目标基底。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取目标基底、位于所述目标基底上的二维材料层及位于所述二维材料层上的源漏金属层，包括：

获取所述目标基底及生长于所述目标基底上的二维材料层；

在所述二维材料层上形成源漏金属层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述二维材料层上形成所述源漏金属层之后，所述方法还包括：

在所述源漏金属层上形成支撑物层；

相应地，所述将所述二维材料层和位于所述二维材料层上的所述源漏金属层转移至所述目标基底，包括：

将所述二维材料层、位于所述二维材料层上的所述源漏金属层及位于所述源漏金属层上的所述支撑物层转移至所述目标基底；

去除所述支撑物层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，在所述去除位于所述沟道区域内的源漏金属层，形成源极、漏极和沟道区域之后，在所述去除剩余的第二掩膜层，形成场效应晶体管之前，所述方法还包括：

在所述剩余的第二掩膜层及所述沟道区域上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成顶栅金属层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述剩余的第二掩膜层及所述沟道区域上形成栅介质层，包括：

采用原子层沉积技术或溅射技术在所述剩余的第二掩膜层及所述沟道区域上形成所述栅介质层。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述剩余的第二掩膜层及所述沟道区域上形成栅介质层，包括：

采用电子束镀膜技术在所述剩余的第二掩膜层及所述沟道区域上形成所述栅介质层；其中，所述栅介质层的高度分别大于所述源极的高度和所述漏极的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除位于所述剩余的第一掩膜层的区域之外的源漏金属层及位于所述剩余的第一掩膜层的区域之外的二维材料层，包括：

采用湿法腐蚀技术去除位于所述剩余的第一掩膜层的区域之外的源漏金属层；

采用干法刻蚀技术去除位于所述剩余的第一掩膜层的区域之外的二维材料层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏金属层为以下至少一种金属形成的金属层：

Ti、Au、Pd及Ni。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标基底为以下至少一种基底：

柔性基底、生长有SiO2的硅基底、生长有氧化铝的基底及生长有氧化铪的基底。

11.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：

目标基底；

二维材料层，所述二维材料层位于所述目标基底上；

源极、漏极，所述源极和所述漏极是在采用第一掩膜层形成定义的二维材料层及定义的源漏金属层后，在所述定义的源漏金属层上以第二掩膜层做掩膜定义形成沟道区域后，去除所述第二掩膜层后剩余的源漏金属层；所述沟道区域为所述定义的二维材料层的一部分区域形成；

栅介质层，所述栅介质层位于沟道区域上，所述栅介质层的高度分别大于所述源极和所述漏极的厚度；

栅极，所述栅极位于所述栅介质层上，且完整覆盖所述栅介质层。