[发明专利]功率变流器中的半导体的保护

权利要求书

1.一种变流器装置，包括：

功率变流器(1)；

变流器端子(8)，被配置为经由断路器(7)将所述变流器连接到AC市电(6)；

辅助电源装置(10)，包括辅助电源(14)，所述辅助电源经由充电断路器(12)在所述变流器(1)与所述断路器(7)之间连接到所述变流器端子(8)；以及

包括至少一个电容器的电容器装置(4)，被连接在所述变流器装置中、在至少一个变流器单元(3)的单元开关(S)的半导体与所述辅助电源(14)之间，所述辅助电源被配置用于在所述变流器的启动期间对所述单元开关(S)的门极单元进行充电；

其中所述电容器装置(4)被配置为在所述变流器的所述启动期间保护所述单元开关(S)的所述半导体免受电压浪涌(dv/dt)的影响。

2.根据权利要求1所述的变流器装置，其中所述电容器装置(4)被包括在所述辅助电源装置(10)中，并且连接在所述充电断路器(12)与所述变流器端子(8)之间。

3.根据权利要求1或2所述的变流器装置，其中所述辅助电源装置(10)包括变压器(11)，所述变压器(11)用于增加从所述辅助电源(14)到所述变流器(1)的电压。

4.根据权利要求3所述的变流器装置，其中所述电容器装置被连接在所述变压器(11)的低压侧上。

5.根据权利要求3所述的变流器装置，其中所述电容器装置被连接在所述变压器(11)的高压侧上。

6.根据权利要求5所述的变流器装置，其中所述辅助电源装置(10)还包括被连接在所述变压器(11)的低压侧上的dv/dt滤波器。

7.根据权利要求1或2所述的变流器装置，其中所述充电断路器(12)中的每个充电断路器包括半导体开关。

8.根据权利要求1或2所述的变流器装置，其中所述单元开关(S)各自包括门极换流晶闸管。

9.根据权利要求8所述的变流器装置，其中所述门极换流晶闸管是：集成门极换流晶闸管IGCT；反向导通IGCT RC-IGCT；或双模式门极换流晶闸管BGCT。

10.根据权利要求1或2所述的变流器装置，其中所述变流器被配置用于高电压应用。

11.根据权利要求10所述的变流器装置，其中所述变流器被配置用于高电压直流HVDC应用。

12.一种用于保护在根据权利要求1至11中任一项所述的变流器装置中的功率变流器(1)的单元开关(S)中的半导体的方法，所述方法包括：

在所述变流器的启动期间，借助于辅助电源(14)为至少一个变流器单元(3)的所述单元开关(S)的门极单元供电；

其中包括至少一个电容器的电容器装置(4)被连接在所述单元开关(S)的所述半导体与所述辅助电源(14)之间，并且在所述变流器(1)的所述启动期间保护所述半导体免受电压浪涌(dv/dt)的影响。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述电压浪涌是由所述断路器(7)中的一个断路器的弹跳引起的。