[发明专利]立体配线基板、立体配线基板的制造方法及立体配线基板用基材

说明书

一种立体配线基板，其包括：树脂膜(1)，其为立体状，具有在玻璃转化温度以上的饱和区域中储能弹性模量为2×10⁷Pa以下的动态粘弹性特性，且具有50％以上的断裂伸长率；第一金属膜(5)，其形成在所述树脂膜的表面上，并具有所期望的图案；以及第二金属膜(21)，其形成在所述第一金属膜上；其中，所述树脂膜在所述第一金属膜的形成面上具有多个凹凸；所述第一金属膜，膜厚度被调整为可将金属沉积成粒子状而形成疏松状结构。

技术领域

本发明，涉及一种立体成型的立体配线基板，该立体配线基板的制造方法以及用于该立体配线基板的立体配线基板用基材。

背景技术

作为常规已知的立体配线基板，即MID(Molded Interconnect Device)基板，其为在具有三维结构的结构体表面上直接并立体地形成电路的部件。作为与MID基板有关的技术，已知有二次成型法、MIPTEC(Microscopic Integrated Processing Technology)、以及LDS(Laser Direct Structuring)等工艺。在任一种工艺中，均使模塑树脂形成三维结构后，在其表面上形成配线电路。例如，专利文献1中公开了与MID基板及其制造相关的技术。

在二次成型法中，对一次成型的模塑树脂上未形成配线的部分，采用新树脂进行二次成型，将该二次成型的树脂作为保护层进行催化剂涂布和镀覆，以在模塑树脂上形成配线电路。然而，由于经过二次成型的树脂会限制配线图案的形状，从用于二次成型的模具加工精度的极限来看，表示导体宽度和导体间隙的L/S(line width and spacing)的最小值约为150/150μm，难以形成更微细的配线图案。

在MIPTEC法中，对经过成型的模塑树脂的整个表面实施金属喷镀(metallizing)，通过激光去除配线电路外缘部分的金属(喷镀层)。之后，对作为配线电路的区域通电来进行电解镀覆，其后通过对成型体整个表面进行闪蚀而去除配线电路以外的金属，从而在模塑树脂上形成配线电路。然而，在使用激光时，需要与已成型模塑树脂的三维形状对应的特殊激光照射装置，因而存在激光加工耗时耗力及设备资金投入带来制造成本增加这样的问题。另外，由于要通过电解镀覆堆积配线电路所期望的金属，所以需要仅对作为配线电路的区域通电，因此需要将作为该配线电路的区域与成型体的外周部电连接、或通过供电线与外周部电连接。即，会产生难以将作为该配线电路的区域与成型体的外周部电隔离(即，形成独立的配线图案)的问题，以及因形成和去除电路中最终不需要的供电线而伴随发生的成本增加问题。

在LDS法中，使用包含催化剂金属离子颗粒的特殊树脂材料进行一次成型，通过对作为配线电路的区域照射激光，使该催化剂金属离子颗粒活化(金属化)并露出，对该催化剂金属的暴露部分进行镀覆(原则上，为无电解镀)，从而在模塑树脂上形成配线电路。然而，从已成型模塑树脂内催化剂金属离子颗粒的活化(金属化)的精度问题来看，L/S的最小值约为100/150μm，难以形成更微细的配线图案。另外，与MIPTEC法一样，需要特殊激光照射装置，因而存在激光加工耗时耗力及设备资金投入带来制造成本增加这样的问题。

在上述任意一种工艺中，由于配线电路形成在具有三维形状的模塑树脂上，所以最终制造出的MID基板基本为单面基板。因此，与双面基板相比配线电路的自由度变小，会产生基板本身的小型化困难这样的问题。作为解决该问题及上述问题的方法，在形成聚酰亚胺等热塑性树脂上形成配线电路后，通过加热及加压对树脂进行弯折加工，从而出制造立体配线基板的方法。例如，专利文献2中公开了通过热压接在聚酰亚胺膜上粘贴金属箔之后进行立体成型，而专利文献3中公开了在聚砜树脂上涂覆导电性胶之后进行立体成型。

此外，当进行弯曲加工时，会产生材料彼此完全不同的热塑性树脂与作为配线的金属发生剥离的问题。为了解决这样的问题，还研究了通过采取使用溅射、蒸镀及其他湿式电镀工艺、或通过使用分子键合技术的特殊工艺，来使热塑性树脂与金属牢固粘合。

现有技术文献

专利文献