[发明专利]通路阻断层

说明书

实施例包括一种设备，它包括：包括位于多个通路上的多个互连线的金属层；包括位于第一、第二和第三通路上的第一、第二和第三互连线的额外金属层；第一和第三通路将第一和第三互连线耦合到所述多个互连线中的两个互连线；完全包含在额外金属层内的横向互连，其被直接连接到第一、第二和第三互连线中的每个互连线；以及完全包含在第二通路的两个侧壁之间的绝缘体层。本文中描述了其它实施例。

技术领域

本发明的实施例属于半导体器件领域，并且特别地，属于互连领域。

背景技术

在集成电路的制造中，一般利用铜双镶嵌工艺来在半导体衬底上形成互连。此类工艺通常以在电介质层中蚀刻沟槽并接着利用物理气相沉积（PVD）溅射工艺来以阻挡/粘附层和种子层填充沟槽而开始。然后，利用电镀工艺来用铜金属填充通路和沟槽以便形成互连。但是，随着器件尺寸缩减并且特征变得越来越窄，特征的纵横比变得更加激进。通常，在集成电路结构的给定层内存在多个通路。结构的一个区域中的通路能够穿过一个或多个随后电介质层布线而被连接到结构的其它区域中的通路或互连。

附图说明

根据随附权利要求、以下对一个或多个示例实施例的详细描述以及对应的附图，本发明的实施例的特征和优点将变得显而易见。在认为合适的情况下，在附图之中重复参考标记以便指示对应或类似要素。

图1示出根据本公开的实施例配置的集成电路结构。

图2a-c示出根据本公开的实施例利用选择性沉积形成通路阻断层的各种工艺细节。

图2d-f示出在图2a-c中示出的示例工艺的交替的横截面图。

图3a-d示出根据本公开的另一个实施例利用旋涂法形成通路阻断层的各种工艺细节。

图3e-h示出在图3a-d中示出的示例工艺的交替的横截面图。

图4示出根据本公开的各种实施例利用选择性沉积形成通路阻断层的进一步工艺细节。

图5示出根据本公开的各种实施例利用旋涂法形成通路阻断层的进一步工艺细节。

图6a示出根据本公开的实施例能够在用于形成通路阻断层的基于旋涂的工艺中使用的纳米粒子的化学结构。

图6b示出根据本公开的实施例配置有采用纳米粒子制成的通路阻断层的实际互连结构的扫描电子显微镜（SEM）图像。

图7示出用包括根据本公开的实施例配置的互连结构的一个或多个集成电路实现的计算系统。

图8(a)-(f)包括iVCT工艺的实施例。

图9包括iVCT的实施例。

图10包括iVCT工艺的实施例。

具体实施方式

现在将参考附图，其中可以为类似结构提供类似的后缀参考指示。为了更清楚地示出各种实施例的结构，本文中所包含的附图是半导体/电路结构的图形表示。因此，制造的集成电路结构在例如显微照片中的实际外观可能看起来不同，然而仍然并入所示实施例的要求权利的结构。此外，附图可能只示出对于理解所示实施例有用的结构。可能并未包含本领域中已知的额外结构，以便使附图保持清楚。例如，并不一定示出半导体器件的每个层（例如，阻挡层、种子层、蚀刻终止层）。“一实施例”、“各种实施例”等指示如此描述的（一个或多个）实施例可包括特定特征、结构或特性，但不是每个实施例都一定包括所述特定特征、结构或特性。一些实施例可具有针对其它实施例描述的特征中的一些或所有特征，或者可不包括针对其它实施例描述的特征中的任何一个特征。“第一”、“第二”、“第三”等描述共同对象，并且指示类似对象的不同实例在被提及。此类形容词不一定暗示如此描述的对象必须在时间上、在空间上、在排序上或以任何其它方式处于给定序列中。“连接”可指示元件彼此直接物理或电接触，并且“耦合”可指示元件彼此协作或交互，但它们可以是或者可以不是直接物理或电接触。