[发明专利]通路阻断层

权利要求书

1.一种微电子设备，包括：

第一金属层，所述第一金属层包括位于多个通路上的多个互连线；

第二金属层，所述第二金属层包括位于第一、第二和第三通路上的第一、第二和第三互连线；所述第一和第三通路将所述第一和第三互连线耦合到所述多个互连线中的两个互连线；

横向互连，所述横向互连被包含在所述第二金属层内，所述横向互连被直接连接到所述第一、第二和第三互连线中的每个互连线；以及

绝缘体层，所述绝缘体层被包含在所述第二通路与所述第一金属层之间，

其中：

所述绝缘体层具有位于所述绝缘体层的两个横向部分之间的所述绝缘体层的中间部分；并且

所述中间部分具有最大高度，并且所述两个横向部分各自具有大于所述中间部分的所述最大高度的最大高度。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述绝缘体层包括氧化物和氮化物中的至少一种以及金属。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述横向互连包括金属填充物，并且所述第一、第二和第三互连线分别包括全都与所述金属填充物一体的第一、第二和第三金属填充物。

4.一种微电子设备，包括：

金属层，所述金属层包括分别位于多个通路上的多个金属互连线；

额外金属层，所述额外金属层包括分别位于第一、第二和第三通路上的第一、第二和第三金属互连线；所述第一和第三通路分别将所述第一和第三金属互连线耦合到所述多个金属互连线中的两个金属互连线；

横向金属互连，所述横向金属互连被包含在所述额外金属层内，所述横向金属互连耦合到所述第一、第二和第三金属互连线中的每个金属互连线；以及

金属氧化物，所述金属氧化物被包含在所述第二通路的两个侧壁之间和所述第二通路与所述多个金属互连线之一之间。

5.如权利要求4所述的设备，其中：

所述金属氧化物具有位于两个横向部分之间的中间部分；并且

所述中间部分具有最大高度，并且所述两个横向部分各自具有大于所述中间部分的所述最大高度的最大高度。

6.如权利要求5所述的设备，其中：

第一水平轴与所述第二通路、所述中间部分以及所述两个横向部分相交；并且

位于所述第一水平轴上方的第二水平轴与所述第二通路和所述两个横向部分相交，但不与所述中间部分相交。

7.如权利要求6所述的设备，其中第一垂直轴和第二垂直轴分别与所述两个横向部分、所述第二通路、所述第二金属互连线、所述多个金属互连线中的所述一个金属互连线和所述多个通路之一相交。

8.如权利要求6所述的设备，其中所述两个横向部分分别包括沿所述第二水平轴取的第一厚度和第二厚度，并且所述中间部分包括垂直于所述第二水平轴取的厚度，该厚度一般等于所述第一厚度和第二厚度。

9.如权利要求5所述的设备，其中所述金属氧化物没有在所述第二通路上方延伸且没有延伸到所述第二金属互连线中。

10.如权利要求5所述的设备，其中所述金属氧化物被包含在与所述第二通路的底部和所述第二通路的所述两个侧壁共形的层中。

11.如权利要求5所述的设备，其中所述第二通路因所述金属氧化物而是开路的，并且所述横向金属互连的一部分位于所述第一和第二金属互连线之间，并未被包含在沟槽中，并且并未被包含在通路中。

12.如权利要求5所述的设备，其中：

所述横向金属互连包括金属填充物，并且所述第一、第二和第三金属互连线分别包括第一、第二和第三金属填充物；并且

所述金属填充物以及所述第一、第二和第三金属填充物全都彼此一体。