[发明专利]衬底处理装置、金属部件及半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供下述衬底处理装置，其具备：处理室，其收容衬底；处理气体供给系统，其将包含过氧化氢的处理气体导入处理室内；和排气系统，其对处理室内进行排气，其中，处理室、处理气体供给系统及排气系统中的至少任一者由金属部件构成，暴露于处理气体或处理气体液化而产生的液体的金属部件中的至少任一者由包含铁元素的材料构成，金属部件的暴露于处理气体或液体的面的表面由下述层形成，所述层包含通过对金属部件进行烘烤处理而形成的铁的氧化物。由此可降低衬底处理装置的部件所受到的损伤。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、金属部件及半导体器件的制造方法。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行下述衬底处理：对收容于衬底处理装置的反应管的内部的衬底供给包含过氧化氢(H₂O₂)的处理气体、在衬底上形成膜或者对衬底的表面进行处理(例如参见专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/069826号

专利文献2：国际公开第2013/070343号

发明内容

发明要解决的课题

在上述的衬底处理中，存在下述情况：暴露于包含H₂O₂的处理气体的衬底处理装置的部件因腐蚀等而受到损伤；或者在反应管内产生污染。另外，根据处理条件，还存在下述情况：对衬底供给的处理气体液化而滞留于反应管的内部，由于该滞留的液体，衬底处理装置的部件(零件、组件)受到损伤。本发明的目的之一为提供能够减少衬底处理装置的部件所受到的损伤的技术。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供下述衬底处理装置、其相关技术，所述衬底处理装置具备：收容衬底的处理室、将包含过氧化氢的处理气体向上述处理室内导入的处理气体供给系统、和对上述处理室内进行排气的排气系统，其中，上述处理室、上述处理气体供给系统及上述排气系统中的至少任一者由金属部件构成，暴露于上述处理气体或上述处理气体液化而产生的液体的上述金属部件中的至少任一者由包含铁元素的材料构成，上述金属部件的暴露于上述处理气体或上述液体的面的表面由下述层形成，所述层包含通过对上述金属部件进行烘烤处理而形成的铁的氧化物。

发明的效果

根据本发明，能够减少衬底处理装置的部件所受到的损伤。

附图说明

[图1]为本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，是以纵剖面图示出处理炉部分的图。

[图2]为示出反应管的炉口周边区域的构成的概略构成图。

[图3]为本发明的一个实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，是以框图示出控制器的控制系统的图。

[图4]为示出针对实施了第1烘烤处理的SUS316L材料使用X射线光电子能谱而得到的分析结果的坐标图(graph)。

[图5]为示出针对实施了第2烘烤处理的SUS316材料使用X射线光电子能谱而得到的分析结果的坐标图。

[图6]为示出针对实施了表面处理No.1～6的各试样的在H₂O₂水溶液中的浸渍实验的实验结果的图。

[图7]为示出针对实施了表面处理No.7～10的各试样的在H₂O₂水溶液中的浸渍实验的实验结果的图。

[图8]为示出预处理工序的流程的一例的图。