[发明专利]衬底处理装置、金属部件及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.衬底处理装置，其具备：

处理室，其收容衬底；

处理气体供给系统，其将包含过氧化氢的处理气体导入所述处理室内；

排气系统，其对所述处理室内进行排气，

其中，所述处理室、所述处理气体供给系统及所述排气系统中的至少任一者由金属部件构成，

暴露于所述处理气体或所述处理气体液化而产生的液体的所述金属部件中的至少任一者由包含铁元素的材料构成，

所述金属部件的暴露于所述处理气体或所述液体的面的表面由下述层形成，所述层包含通过对所述金属部件进行烘烤处理而形成的铁的氧化物。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述烘烤处理在包含氧的气氛下进行。

3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述烘烤处理在大气气氛下进行。

4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述烘烤处理在大致真空下进行。

5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，包含所述铁的氧化物的层包含10％以上的所述铁的氧化物。

6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述包含铁元素的材料为不锈钢。

7.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述包含铁元素的材料为包含50％以上的铁的材料。

8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其具备：衬底晶舟，所述衬底晶舟在所述处理室内支承所述衬底；和晶舟支承部，所述晶舟支承部从下方支承所述衬底晶舟，

所述处理室由筒状的反应管、和盖体构成，所述盖体将所述反应管的炉口封闭并构成所述处理室的底部，

所述金属部件构成所述晶舟支承部、所述盖体、及与所述反应管连接的所述排气系统的排气管中的至少一部分。

9.如权利要求1所述的衬底处理装置，所述衬底处理装置还具备：

加热器，其对收容于所述处理室的所述衬底进行加热；和

控制部，其构成为在以向所述处理室内供给所述处理气体的方式控制所述处理气体供给系统的同时，以使得所述衬底成为100℃以下的规定温度的方式控制所述加热器。

10.如权利要求1所述的衬底处理装置，其还具备：

加热器，其对收容于所述处理室的所述衬底进行加热；和控制部，其控制所述处理气体供给系统及所述加热器，

所述控制部构成为在以在规定时间的期间向所述处理室内供给所述处理气体的方式控制所述处理气体供给系统的同时，以使得所述衬底的温度成为100℃以下的规定温度的方式控制所述加热器的输出，然后，以停止所述处理气体向所述处理室内的供给的方式控制所述处理气体供给系统，并且以使得所述衬底的温度成为120℃以上的规定温度的方式控制所述加热器的输出。

11.金属部件，其设置于下述衬底处理装置中，所述衬底处理装置具备：处理室，其收容衬底；处理气体供给系统，其将包含过氧化氢的处理气体导入所述处理室内；和排气系统，其对所述处理室内进行排气，

所述金属部件构成所述处理室、所述处理气体供给系统及所述排气系统中的至少任一者的、暴露于所述处理气体或所述处理气体液化而产生的液体的部位，

所述金属部件由包含铁元素的材料构成，

暴露于所述处理气体或所述液体的面的表面由下述层形成，所述层包含通过对所述金属部件进行烘烤处理而形成的铁的氧化物。

12.如权利要求11所述的金属部件，所述衬底处理装置还具备：

加热器，其对收容于所述处理室的所述衬底进行加热；和

控制部，其构成为在以向所述处理室内供给所述处理气体的方式控制所述处理气体供给系统的同时，以使得所述衬底成为100℃以下的规定温度的方式控制所述加热器。